SIC
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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q (CM -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn TPCC8105 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) - 1 (ilimitado) 264-TPCC8105L1Q (CMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 11.5a, 10V 2V @ 500 µA 76 NC @ 10 V +20V, -25V 3240 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.197 ", 5.00 mm de Ancho) XPH6R30 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 45a (TA) 6V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10V 3.5V @ 500 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 10 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK110A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 110MOHM @ 12A, 10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) Guisal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 pf @ 300 V - 230W (TC)
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 V +6V, -8V 1800 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 210W (TC)
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM, S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 1.3MA 110 NC @ 10 V ± 20V 7670 pf @ 40 V - 230W (TC)
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM, S4X 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 58a (TC) 6V, 10V 6.8mohm @ 29a, 10v 3.5V @ 500 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 40 V - 41W (TC)
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 10 kohms -
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4987 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10 kohms 47 kohms
RN4905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4905 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV, L3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Sot-723 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 Canal P 20 V 800 mA (TA) 1.2V, 4.5V 390mohm @ 800 mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 V +6V, -8V 100 pf @ 10 V - 150MW (TA)
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4902 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10 kohms 10 kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA, S1E 3.7700
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 348 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 300V, 60A, 39OHM, 15V - 1350 V 60 A 120 A 2.6V @ 15V, 60A -, 1.3mj (apaguado) 270 NC -
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C, S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 20A (TC) 18V 145mohm @ 10a, 18V 5V @ 1.2MA 21 NC @ 18 V +25V, -10V 600 pf @ 400 V - 76W (TC)
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C, S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 100A (TC) 18V 20mohm @ 50A, 18V 5V @ 11.7MA 158 NC @ 18 V +25V, -10V 6000 pf @ 800 V - 431W (TC)
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y (TE12L, ZC 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 120MHz
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH, L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 75 V 150A (TA) 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 37.5 V - 800MW (TA), 142W (TC)
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D, S5X 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 25A (TA) 10V 70mohm @ 12.5a, 10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 100 V - 45W (TC)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5, LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 170mohm @ 11a, 10v 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21 (STA1, E 3.6500
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 GT40RR21 Estándar 230 W A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 280v, 40a, 10ohm, 20V 600 ns - 1200 V 40 A 200 A 2.8V @ 15V, 40A -, 540 µJ (apaguado) -
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL, L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 40A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 300 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1855 pf @ 50 V - 630MW (TA), 104W (TC)
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 280mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 139W (TC)
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O (S1, F 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-3PL 150 W A-3P (L) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 230 V 15 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1a, 5v 30MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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