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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (M -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD2695 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 100MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo Mosfet (Óxido de metal) TCSPAC-153001 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 12 V 13.5a (TA) 2.5V, 4.5V 2.75mohm @ 6a, 4.5V 1.4V @ 1.11MA 25 NC @ 4 V ± 8V - 800MW (TA)
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK10S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 10a (TA) 6V, 10V 28mohm @ 5a, 10v 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 410 pf @ 10 V - 25W (TC)
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1107 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5, S1X 4.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK25E60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TA) 10V 140mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ 1.2600
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ80S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 80a (TA) 6V, 10V 5.2mohm @ 40a, 10v 3V @ 1MA 158 NC @ 10 V +10V, -20V 7770 pf @ 10 V - 100W (TC)
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1116 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4213 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3mA, 30a 350 @ 4MA, 2V 30MHz
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D (STA4, Q, M) 3.5200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK18A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18a (TA) 10V 270mohm @ 9a, 10v 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 25 V - 50W (TC)
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2132 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 kohms
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK7S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 7a (TA) 10V 48mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 100 µA 7.1 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 10 V - 50W (TC)
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10v 4V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 45W (TC)
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2902 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y, LXHF 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300 MV @ 10 mA, 100 mm / 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2mA, 6V 120MHz, 150MHz
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE (TE85L, F) 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P41 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 720 mm 300mohm @ 400 mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.76nc @ 4.5V 110pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SA1020-YT6NSF (J EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 11.5a (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 300 V - 45W (TC)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8066 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 700MW (TA), 17W (TC)
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L, LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ8S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 8a (TA) 6V, 10V 104mohm @ 4a, 10v 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V, -20V 890 pf @ 10 V - 27W (TC)
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Tk4p50 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TK4P50DT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4A (TA) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 80W (TC)
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LXHF (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1104 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL, L1Q 3.0300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPW1R005 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 45 V 300A (TC) 4.5V, 10V 2.4V @ 1MA 122 NC @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 22.5 V - 960MW (TA), 170W (TC)
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN4985,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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