SIC
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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Calificación Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8208 Mosfet (Óxido de metal) 450MW 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 5A 50mohm @ 2.5a, 4V 1.2V @ 200 µA 9.5nc @ 5V 780pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-Gr (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN3C51 300MW SM6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 2mA, 6V 100MHz
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6CANOFM -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2sc2655yt6canofm EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 16 V Montaje en superficie To-243AA Rfm04u6 470MHz Mosfet PW-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 2A 500 mA 4.3w 13.3db - 6 V
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1116 100 MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600Anh, L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN1600 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 16mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 200 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 50 V - 700MW (TA), 42W (TC)
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK9A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9.3a (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosv-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8031 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 24a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 30W (TC)
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) TO-247-4L (X) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 30A (TC) 18V 118mohm @ 15a, 18V 5V @ 600 µA 28 NC @ 18 V +25V, -10V 873 pf @ 400 V - 111W (TC)
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X, LQ 5.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK31V60 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 98mohm @ 9.4a, 10v 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC, L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.197 ", 5.00 mm de Ancho) XPH2R106 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 110A (TA) 2.1mohm @ 55a, 10v 2.5V @ 1MA 104 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 10 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPW4R008 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 116a (TC) 10V 4mohm @ 50a, 10v 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 40 V - 800MW (TA), 142W (TC)
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D (T6RSS-Q) 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK5P53 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 525 V 5A (TA) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 80W (TC)
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2607 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.2a (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 V +6V, -8V 290 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (J -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2962 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS, LF 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3J15 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10mA, 4V 1.7V @ 100 µA ± 20V 9.1 pf @ 3 V - 100MW (TA)
RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LXHF (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2104 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L (T6L1, NQ 0.7102
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TJ30S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 30A (TA) 6V, 10V 21.8mohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V +10V, -20V 3950 pf @ 10 V - 68W (TC)
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN1701 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN4607 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU, LF -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 Mosfet (Óxido de metal) 300MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 200 MMA 2.1ohm @ 500 mA, 10V 3.1V @ 250 µA - 17pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424 (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 MMA, 50 MAPA 90 @ 100mA, 1V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042, T2WNLQ (J -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC6042 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 375 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 100 mm, 800 mA 100 @ 100 maja, 5v -
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y, S4X 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK560A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240 µA 14.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 30W
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK12E80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 11.5a (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 300 V - 165W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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