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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC2235-Y, T6KEHF (M | - | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC2235 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2129, LS4AlPSQ (M | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SD2129 | 2 W | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 2V @ 12 mm, 3a | 2000 @ 1.5a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2910, LXHF (CT | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN2910 | 200MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 200MHz | 4.7 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1703JE (TE85L, F) | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-553 | RN1703 | 100MW | ESV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rn1412te85lf | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1412 | 200 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HN4A51JTE85LF | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | HN4A51 | 300MW | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 200 @ 2mA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3328-Y, HOF (M | - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC3328 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 80 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mm, 1a | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2235-O (FA1, F, M) | - | ![]() | 9631 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC2235 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK6P53D (T6RSS-Q) | 1.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | π-Mosvii | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK6P53 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 525 V | 6a (TA) | 10V | 1.3ohm @ 3a, 10v | 4.4V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K361NU, LF | 0.4500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | SSM6K361 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-udfnb (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.5a (TA) | 4.5V, 10V | 69mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 3.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 430 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | TPN4R806PL, L1Q | 0.9000 | ![]() | 4178 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosix-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPN4R806 | Mosfet (Óxido de metal) | Advance 8-TSON (3.1x3.1) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 72a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 36a, 10v | 2.5V @ 300 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 30 V | - | 630MW (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA949-Y (T6SHRP, FM | - | ![]() | 5283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SA949 | 800 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 1 MMA, 10a | 70 @ 10mA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFM01U7P (TE12L, F) | 1.2713 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 20 V | Montaje en superficie | To-243AA | Rfm01u7 | 520MHz | Mosfet | PW-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1A | 100 mA | 1.2w | 10.8db | - | 7.2 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y, T6wnlf (J | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC2655 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mm, 1a | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1104, LF (CT | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN1104 | 100 MW | SSM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4905FE, LF (CT | 0.2700 | ![]() | 2228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | RN4905 | 100MW | ES6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2601 (TE85L, F) | 0.4500 | ![]() | 253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | RN2601 | 300MW | SM6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 30 @ 10mA, 5V | 200MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1588-Gr, LF | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1588 | 100 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 100 mapa, 1v | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1308, LF | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RN1308 | 100 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2305, LXHF | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RN2305 | 100 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA965-Y (F, M) | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SA965 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1112 (T5L, F, T) | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN1112 | 100 MW | SSM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1407, LF | 0.1900 | ![]() | 904 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1407 | 200 MW | S-Mini | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPWR8503NL, L1Q | 2.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | TPWR8503 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance de 8-dsop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 50A, 10V | 2.3V @ 1MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 15 V | - | 800MW (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J371R, LXHF | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23F | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TA) | 1.5V, 4.5V | 55mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 1MA | 10.4 NC @ 4.5 V | +6V, -8V | 630 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN2603 (TE85L, F) | 0.4700 | ![]() | 3159 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | RN2603 | 300MW | SM6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 70 @ 10mA, 5V | 200MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4215-O (TE85L, F) | 0.0946 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC4215 | 100MW | SC-70 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 23dB | 30V | 20 Ma | NPN | 40 @ 1 MMA, 6V | 550MHz | 5DB @ 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2964 (TE85L, F) | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN2964 | 100MW | US6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1586-Gr, LXHF | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Usm | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rn1441ate85lf | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1441 | 200 MW | S-Mini | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 3 mm, 30 ma | 200 @ 4MA, 2V | 30 MHz | 5.6 kohms |
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