SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406, LXHF 0.0645
RFQ
ECAD 7373 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 (f) -
RFQ
ECAD 3399 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2SK2866 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TA) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 10 V - 125W (TC)
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y, F (J -
RFQ
ECAD 5348 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, T6KOJPF (J -
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA965 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
ECAD 8582 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC5233 100 MW Usm - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mv @ 10 ma, 200 ma 500 @ 10mA, 2V 130MHz
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH1, LQ 1.6600
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn TPH1500 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) descascar 1 (ilimitado) 5,000 N-canal 150 V 74a (TA), 38a (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 2200 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 170W (TC)
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J132TU, LF 0.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J132 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 5.4a (TA) 1.2V, 4.5V 17mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 1MA 33 NC @ 4.5 V ± 6V 2700 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tph2900enh, l1q 2.5800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH2900 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 33a (TA) 10V 29mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 100 V - 78W (TC)
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV, L3F 0.4000
RFQ
ECAD 358 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 SSM3K36 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 20 V 500 mA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200MA, 5V 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ± 10V 46 pf @ 10 V - 150MW (TA)
SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB, L3F 0.4200
RFQ
ECAD 2492 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo SSM3K59 Mosfet (Óxido de metal) CST3B descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 40 V 2a (TA) 1.8v, 8V 215mohm @ 1a, 8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK22A65X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X5, S5X 4.1200
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK22A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 160mohm @ 11a, 10v 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 45W (TC)
RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV, L3F -
RFQ
ECAD 5453 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1105 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231 (TE16R1, NQ) -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK2231 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 5A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 2.5a, 10v 2v @ 1 mapa 12 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 10 V - 20W (TC)
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6ASHF (J -
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W, S5X 2.7800
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18.5a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (F, M) -
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 500 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2421 (TE85L, F) 0.0906
RFQ
ECAD 3541 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2421 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV @ 2 mm, 50 Ma 60 @ 100mA, 1V 200 MHz 1 kohms 1 kohms
TK065Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065Z65Z, S1F 7.8900
RFQ
ECAD 4529 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 650 V 38a (TA) 10V 65mohm @ 19a, 10v 4V @ 1.69 Ma 62 NC @ 10 V ± 30V 3650 pf @ 300 V - 270W (TC)
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (F, M) -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4793 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 500 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (J -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1680 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S, LF -
RFQ
ECAD 4581 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, WNLF (J -
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4793 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549, T6F (J -
RFQ
ECAD 5131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC5549 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 400 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 25 mm, 200 mmA 20 @ 40mA, 5V -
TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC011b, Q 0.6300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.5 W To-126n descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 250 230 V 1 A 200NA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J -
RFQ
ECAD 2103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SA1020-YT6NSF (J EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM, S1X 3.1800
RFQ
ECAD 196 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2MA 178 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 40 V - 300W (TC)
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE, LF (CT 0.2600
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4986 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6cano, F, M -
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2962 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SK3128(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3128 (Q) -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK3128 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 60A (TA) 10V 12mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 150W (TC)
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056 (TE85L, F) 0.1275
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 625 MW TSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 200 MV @ 33MA, 1A 200 @ 300mA, 2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock