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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN1406, LXHF | 0.0645 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1406 | 200 MW | S-Mini | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SK2866 (f) | - | ![]() | 3399 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2SK2866 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 10a (TA) | 10V | 750mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 10 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SC2229-Y, F (J | - | ![]() | 5348 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC2229 | 800 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 70 @ 10mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SA965-Y, T6KOJPF (J | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SA965 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5233BTE85LF | - | ![]() | 8582 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC5233 | 100 MW | Usm | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mv @ 10 ma, 200 ma | 500 @ 10mA, 2V | 130MHz | |||||||||||||||||
![]() | TPH1500CNH1, LQ | 1.6600 | ![]() | 9158 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TPH1500 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance 8-SOP (5x5.75) | descascar | 1 (ilimitado) | 5,000 | N-canal | 150 V | 74a (TA), 38a (TC) | 10V | 15.4mohm @ 19a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 2200 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SSM3J132TU, LF | 0.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | SSM3J132 | Mosfet (Óxido de metal) | UFM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.4a (TA) | 1.2V, 4.5V | 17mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 33 NC @ 4.5 V | ± 6V | 2700 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
![]() | Tph2900enh, l1q | 2.5800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPH2900 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 200 V | 33a (TA) | 10V | 29mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||
![]() | SSM3K36MFV, L3F | 0.4000 | ![]() | 358 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | SSM3K36 | Mosfet (Óxido de metal) | Vesm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 20 V | 500 mA (TA) | 1.5V, 5V | 630mohm @ 200MA, 5V | 1V @ 1MA | 1.23 NC @ 4 V | ± 10V | 46 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||
![]() | SSM3K59CTB, L3F | 0.4200 | ![]() | 2492 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | SSM3K59 | Mosfet (Óxido de metal) | CST3B | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 40 V | 2a (TA) | 1.8v, 8V | 215mohm @ 1a, 8V | 1.2V @ 1MA | 1.1 NC @ 4.2 V | ± 12V | 130 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
![]() | TK22A65X5, S5X | 4.1200 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | 150 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK22A65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 22a (TA) | 10V | 160mohm @ 11a, 10v | 4.5V @ 1.1MA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 2400 pf @ 300 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
![]() | RN1105MFV, L3F | - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN1105 | 150 MW | Vesm | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SK2231 (TE16R1, NQ) | - | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK2231 | Mosfet (Óxido de metal) | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 160mohm @ 2.5a, 10v | 2v @ 1 mapa | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2SC2235-Y, T6ASHF (J | - | ![]() | 1248 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC2235 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||
![]() | TK19A50W, S5X | 2.7800 | ![]() | 9378 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 18.5a (TA) | 10V | 190mohm @ 7.9a, 10v | 3.7V @ 790 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 300 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SA1837 (F, M) | - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SA1837 | 2 W | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 230 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 100 maja, 5v | 70MHz | |||||||||||||||||
![]() | RN2421 (TE85L, F) | 0.0906 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2421 | 200 MW | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 800 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 250 MV @ 2 mm, 50 Ma | 60 @ 100mA, 1V | 200 MHz | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||
![]() | TK065Z65Z, S1F | 7.8900 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosvi | Tubo | Activo | 150 ° C | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247-4l (t) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 38a (TA) | 10V | 65mohm @ 19a, 10v | 4V @ 1.69 Ma | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 3650 pf @ 300 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SC4793 (F, M) | - | ![]() | 5677 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SC4793 | 2 W | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 230 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1680, T6SCMDF (J | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SA1680 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | RN1402S, LF | - | ![]() | 4581 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1402 | 200 MW | S-Mini | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SC4793, WNLF (J | - | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SC4793 | 2 W | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5549, T6F (J | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC5549 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 400 V | 1 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 25 mm, 200 mmA | 20 @ 40mA, 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | TTC011b, Q | 0.6300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.5 W | To-126n | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 230 V | 1 A | 200NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y, T6NSF (J | - | ![]() | 2103 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SA1020 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | 2SA1020-YT6NSF (J | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mm, 1a | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | TK2R4E08QM, S1X | 3.1800 | ![]() | 196 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-MOSX-H | Tubo | Activo | 175 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 6V, 10V | 2.44mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 2.2MA | 178 NC @ 10 V | ± 20V | 13000 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||
![]() | RN4986FE, LF (CT | 0.2600 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | RN4986 | 100MW | ES6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||
![]() | 2SK2962 (T6cano, F, M | - | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SK2962 | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 1A (TJ) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3128 (Q) | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK3128 | Mosfet (Óxido de metal) | A-3p (n) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 60A (TA) | 10V | 12mohm @ 30a, 10v | 3V @ 1MA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SA2056 (TE85L, F) | 0.1275 | ![]() | 9013 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA2056 | 625 MW | TSM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 200 MV @ 33MA, 1A | 200 @ 300mA, 2V | - |
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