SIC
close

Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2102 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 60 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Cinta de Corte (CT) Obsoleto TPCA8007 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, F (J -
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, F (J -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC5201 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1 µA (ICBO) NPN 1V @ 500 Ma, 20 Ma 100 @ 20MA, 5V -
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881, LS1SUMIF (M -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4881 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 125ma, 2.5a 100 @ 1a, 1v 100MHz
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8067 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 9.5 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 10 V - 700MW (TA), 15W (TC)
TPCA8051-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8051-H (T2L1, VM -
RFQ
 ECAD 9874 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8051 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 28a (TA) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 38.8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10v 3.7V @ 1.9MA 135 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1964te85lf 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1964 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2130MFV, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2130 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 100 kohms 100 kohms
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, T6wnlf (J -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1972 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 400 V 500 mA 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 140 @ 20MA, 5V 35MHz
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y (Q) -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SA1225 1 W Moldeado - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 200 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 100 mapa, 5V 100MHz
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5, S1F 11.8200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK49N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 49.2a (TA) 10V 57mohm @ 24.6a, 10v 4.5V @ 2.5mA 185 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E, S4X 2.4200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosviii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK10A80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 10a (TA) 10V 1ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 50W (TC)
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601 (TE85L, F) 0.4500
RFQ
 ECAD 253 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2601 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321 (Q) -
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-3PL GT60N321 Estándar 170 W TO-3P (LH) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 100 - 2.5 µs - 1000 V 60 A 120 A 2.8V @ 15V, 60A - 330ns/700ns
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Gr, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW, 210MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 150MHz
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961 (TE85L, F) 0.4600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1961 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967 (f) -
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2967 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 30A (TA) 10V 68mohm @ 15a, 10v 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 10 V - 150W (TC)
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN2506 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W, S1VF 9.2900
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK31N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10v 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2112 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 22 kohms
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK40S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 40a (TA) 10V 18mohm @ 20a, 10v 4V @ 1MA 61 NC @ 10 V ± 20V 3110 pf @ 10 V - 93W (TC)
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2105 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage Rn4905t5lft 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN2112,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 6252 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2112 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 22 kohms
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN49A2, LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN49A2 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar