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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT, L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K16 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA ± 10V 9.3 pf @ 3 V - 100MW (TA)
RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
TTA006B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B, Q 0.6200
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.5 W To-126n descascar 1 (ilimitado) 264-TTA006BQ EAR99 8541.29.0095 250 230 V 1 A 200NA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE (TE85L, F) 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P41 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 720 mm 300mohm @ 400 mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.76nc @ 4.5V 110pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618-Y (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 2SA1618 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 Par de Parejas PNP (Dual), Emisor Común 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20V 17 pf @ 10 V - 320MW (TA)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8066 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.3V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 700MW (TA), 17W (TC)
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L, F, T) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2108 100 MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1509(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1509 (TE85L, F) 0.0865
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN1509 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
TPC8213-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8213-H (TE12LQ, M -
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8213 Mosfet (Óxido de metal) 450MW 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 5A 50mohm @ 2.5a, 10v 2.3V @ 1MA 11NC @ 10V 625pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2SC2383-Y(T6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y (T6DNS, FM -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2383 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 60 @ 200Ma, 5V 100MHz
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2961 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN1906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2103 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR, A, F -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LF -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (TPF2, F, M) -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC5930 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 75 mm, 600 mA 40 @ 200Ma, 5V -
TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC011b, Q 0.6300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.5 W To-126n descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 250 230 V 1 A 200NA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S, LF -
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (J -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1680 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2102 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 60 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE, LM -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P35 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 100mA 8ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V -
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H (TE85L, FM -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6109 Mosfet (Óxido de metal) VS-6 (2.9x2.8) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 59mohm @ 2.5a, 10v 1.2V @ 200 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 10 V - 700MW (TA)
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P (TE12L, F) 0.3863
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA MT3S111 1W PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 8GHz 1.25db @ 1ghz
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Ssm6n62 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 800 mA (TA) 85mohm @ 800 mA, 4.5V 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2964 100MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1441ate85lf -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 3 mm, 30 ma 200 @ 4MA, 2V 30 MHz 5.6 kohms
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

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