SIC
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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3E08QM, S1X 1.5800
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 6V, 10V 5.3mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 700 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3980 pf @ 40 V - 150W (TC)
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN1511 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R203 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 47a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 23.5a, 10V 2.3V @ 300 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 44W (TC)
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6K405 Mosfet (Óxido de metal) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2a (TA) 1.5V, 4V 126mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ± 10V 195 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D (STA4, Q, M) 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK5A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 5A (TA) 10V 1.43ohm @ 2.5a, 10v 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2117 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 4.7 kohms
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6L12 Mosfet (Óxido de metal) 500MW UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V, 20V 500 mA (TA) 145mohm @ 500mA, 4.5V, 260MOHM @ 250MA, 4V 1.1V @ 100 µA - 245pf @ 10V, 218pf @ 10V -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W, S1Q 1.4000
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak TK6Q65 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 5.8a (TA) 10V 1.05ohm @ 2.9a, 10v 3.5V @ 180 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 300 V - 60W (TC)
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 Mosfet (Óxido de metal) TSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.3a (TA) 1.8v, 4V 127mohm @ 1a, 4V - 6.1 NC @ 4 V ± 8V 335 pf @ 10 V - 700MW (TA)
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6J505 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 12a (TA) 1.2V, 4.5V 12mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 37.6 NC @ 4.5 V ± 6V 2700 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK16E60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 230mohm @ 7.9a, 10V 4.5V @ 790 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8065 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 6.5a, 10v 2.3V @ 200 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 10 V - 700MW (TA), 18W (TC)
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 (TE12L1, V -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8109 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) 264-TPCA8109 (TE12L1VTR EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 24a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12a, 10v 2V @ 500 µA 56 NC @ 10 V +20V, -25V 2400 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 30W (TC)
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544 (f) -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2SK2544 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6a (TA) 10V 1.25ohm @ 3a, 10v 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 10 V - 80W (TC)
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH, L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1110 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 250 V 10a (TA) 10V 112mohm @ 5a, 10v 4V @ 300 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D, S1X (S 2.2900
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK13E25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 13a (TA) 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 102W (TC)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU, LF -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 Mosfet (Óxido de metal) 300MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 200 MMA 2.1ohm @ 500 mA, 10V 3.1V @ 250 µA - 17pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W, RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK11P65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 11.1a (TA) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 pf @ 300 V - 100W (TC)
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5, LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 5,000 N-canal 150 V 108a (TA), 64A (TC) 8V, 10V 9mohm @ 32a, 10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 75 V - 3W (TA), 210W (TC)
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU, LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 Mosfet (Óxido de metal) 285MW (TA) US6 descascar 1 (ilimitado) 264-SSM6N7002KFULXHCT EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 300 mA (TA) 1.5ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 40pf @ 10V -
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Ssm6n24 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 500 mA (TA) 145mohm @ 500 mA, 4.5V 1.1V @ 100 µA - 245pf @ 10V -
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1, S4X 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK34A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 34a (TC) 10V 9.5mohm @ 17a, 10v 4V @ 500 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 50 V - 35W (TC)
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA (STA4, QM) 2.8600
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK13A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 12.5a (TA) 10V 480mohm @ 6.3a, 10v 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 45W (TC)
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 12.5 V Montaje en superficie SC-61AA 3SK291 800MHz Mosfet Smq - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 10 Ma - 22.5db 2.5db 6 V
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J372 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6a (TA) 1.8v, 10v 42mohm @ 5a, 10v 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 V +12V, -6V 560 pf @ 15 V - 1W (TA)
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E, S4X 1.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosviii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK7A90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 7a (TA) 10V 2ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 700 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6K217 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 40 V 1.8a (TA) 1.8v, 8V 195mohm @ 1a, 8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2107 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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