SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC849CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC849CW RFG 0.0368
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC849 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM4436CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4436CS RLG 1.5200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TSM4436 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 8a (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250 µA 10.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1100 pf @ 30 V - 2.5W (TA)
BC817-25W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W RFG 0.0360
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM080NB03CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM080NB03CR 0.5983
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM080 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM080NB03CRTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 14a (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1097 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 55.6W (TC)
TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR RLG 0.8500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM033 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 129a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 15 V - 96W (TC)
TSM650P03CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX 0.2806
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM650 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM650P03CXTR EAR99 8541.29.0095 12,000 Canal P 30 V 4.1a (TC) 2.5V, 10V 65mohm @ 4a, 10v 900MV @ 250 µA 8 NC @ 4.5 V ± 12V 810 pf @ 15 V - 1.56W (TC)
TSC873CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT A3G -
RFQ
ECAD 2910 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TSC873CTA3G EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1 A 1mera NPN 1V @ 250 Ma, 1a 80 @ 250 mm, 10v -
TSM10N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N80CI C0G -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM10 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 800 V 9.5A (TC) 10V 1.05ohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 2336 pf @ 25 V - 48W (TC)
BC549B A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549B A1G -
RFQ
ECAD 1262 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC549 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856B RFG 0.0343
RFQ
ECAD 3590 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
TSC966CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC966CT B0G -
RFQ
ECAD 9524 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 400 V 300 mA 1 µA NPN 1V @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 50MHz
TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ RFG 1.0100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla TSM250 Mosfet (Óxido de metal) 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 5.8a (TC) 25mohm @ 4a, 4.5V 800mv @ 250 µA 11NC @ 4.5V 775pf @ 10V Estándar
BC848AW Taiwan Semiconductor Corporation Bc848aw 0.0357
RFQ
ECAD 4512 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC848AWTR EAR99 8541.21.0075 18,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM240N03CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 0.3425
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 TSM240 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM240N03CX6TR EAR99 8541.29.0095 12,000 N-canal 30 V 6.5a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 4.1 NC @ 4.5 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 1.56W (TC)
TSM250NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR 1.1455
RFQ
ECAD 5937 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM250 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA), 48W (TC) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM250NB06LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 6A (TA), 29A (TC) 25mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 23nc @ 10V 1314pf @ 30V -
TSM060NB06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06CZ C0G 4.1700
RFQ
ECAD 5072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM060 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSM060NB06CZC0G EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 13a (TA), 111a (TC) 7V, 10V 6mohm @ 13a, 10v 4V @ 250 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 6842 pf @ 30 V - 2W (TA), 156W (TC)
BC807-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 0.0333
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC807-16TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
TSC5302DCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5302DCHC5G -
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSC5302 25 W TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 400 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 250 mA, 1A 10 @ 400mA, 5V -
TSM5NC50CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CP 0.9828
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM5 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM5NC50CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 2.4a, 10v 4.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 83W (TC)
TSM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CR RLG 2.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Perfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFNU (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 15A (TA), 54A (TC) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10v 3.6V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1337 pf @ 25 V - 46.8W (TC)
BC546C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546C B1G -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
BC848BW Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW 0.0361
RFQ
ECAD 5870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC848BWTR EAR99 8541.21.0075 18,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECP ROG 1.1500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM4N60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 25 V - 86.2W (TC)
TSM60NB380CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CP 2.2100
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM60NB380CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 380mohm @ 2.85a, 10V 4V @ 250 µA 19.4 NC @ 10 V ± 30V 795 pf @ 100 V - 83W (TC)
BC817-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40 0.0340
RFQ
ECAD 7035 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC817-40TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM2303CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2303CX RFG -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2303 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1.3a (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.3a, 10v 3V @ 250 µA 3.2 NC @ 4.5 V ± 20V 565 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TSM4N60ECH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECH C5G -
RFQ
ECAD 1356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM4N60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.750 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 25 V - 86.2W (TC)
TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF C0G 1.5053
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TSM7 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 1169 pf @ 50 V - 44.6W (TC)
TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6 RFG 1.3100
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 TSM260 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6.5a (TC) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 19.5 NC @ 4.5 V ± 10V 1670 pf @ 15 V - 1.56W (TC)
TSM300NB06LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV 0.5871
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM300 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.15x3.1) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM300NB06LCVTR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 5A (TA), 24a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 962 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock