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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQD50N04-4M5L_GE3 | 2.4400 |  | 8132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5860 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||
 | SIA430DJ-T4-GE3 | - | | 9778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | ||||||||
 | SQ3419AEEV-T1_BE3 | 0.7000 | | 3910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ3419AEEV-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 6.9a (TC) | 4.5V, 10V | 61mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 975 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | |||||||||
 | Siz904dt-t1-ge3 | 0.4969 | | 9768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz904 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 33W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SIA931DJ-T1-GE3 | 0.5300 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA931 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4.5a | 65mohm @ 3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 13NC @ 10V | 445pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | Irfl110 | - | | 1716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 10V | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | Sq7414aenw-t1_ge3 | - | | 3575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 8.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 30 V | - | 62W (TC) | |||||||||
 | SQ2303ES-T1_GE3 | 0.5300 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2303 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5A (TC) | 4.5V, 10V | 170mohm @ 1.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 25 V | - | 1.9W (TC) | ||||||||
 | TP0610KL-TR1-E3 | - | | 7685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | TP0610 | Mosfet (Óxido de metal) | TO26AA (TO-92) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 270MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 3 NC @ 15 V | ± 20V | - | 800MW (TA) | ||||||||
 | 2N4416-E3 | - | | 6275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 4PF @ 15V | 30 V | 5 Ma @ 15 V | 3 V @ 1 Na | |||||||||||||
 | IRFBF20SPBF | 2.1000 | | 489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbf20spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||||||
| SIHB12N60ET1-GE3 | 1.2311 | | 9789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||||
 | SI1025X-T1-E3 | - | | 4135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1025 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 190 Ma | 4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7nc @ 15V | 23pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Sir874dp-t1-ge3 | - | | 1844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir874 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 985 pf @ 15 V | - | 3.9W (TA), 29.8W (TC) | |||||||
 | SI1406DH-T1-GE3 | - | | 5870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1406 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 7.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1W (TA) | ||||||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Morir | Squn702 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC), 60W (TC) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 40V, 200V | 30A (TC), 20A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA, 3.5V @ 250 µA | 23nc @ 20V, 14nc @ 20V, 30.2nc @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - | ||||||||||
 | Irfibe20g | - | | 5236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibe20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfibe20g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 1.4a (TC) | 10V | 6.5ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||
 | SI8481DB-T1-E1 | 0.1432 | | 8459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8481 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Micro Foot® (1.6x1.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 47 NC @ 4.5 V | ± 8V | 2500 pf @ 10 V | - | 2.8W (TC) | |||||||
| Irf840atrl | - | | 4537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SUM110N04-2M1P-E3 | - | | 6360 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 29A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 18800 pf @ 20 V | - | 3.13W (TA), 312W (TC) | ||||||||
 | SiJ420DP-T1-GE3 | - | | 2145 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ420 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 62.5W (TC) | ||||||||
 | SI5947DU-T1-E3 | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5947 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6A | 58mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 480pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SI3424BDV-T1-E3 | - | | 4865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3424 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 19.6 NC @ 10 V | ± 20V | 735 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 2.98W (TC) | |||||||
| SI1470DH-T1-GE3 | - | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1470 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 66mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 7.5 NC @ 5 V | ± 12V | 510 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | |||||||
| IRF720StrrPBF | 1.1558 | | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
| IRF9Z14SPBF | 1.6800 | | 72 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF9Z14SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||||
| SI7862AdP-T1-GE3 | 2.2903 | | 2084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7862 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 16 V | 18a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 29a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | 7340 pf @ 8 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
 | IRLZ14PBF-BE3 | 1.1100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-ilz14pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||||||||
 | SIE868DF-T1-GE3 | - | | 3193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE868 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | Si4948Bey-T1-E3 | 1.3200 | | 289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 2.4a | 120mohm @ 3.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 22nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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