- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF740APBF | 2.7800 |  | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI1073X-T1-GE3 | - | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1073 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 980MA (TA) | 4.5V, 10V | 173mohm @ 980mA, 10V | 3V @ 250 µA | 9.45 NC @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRFZ40PBF-BE3 | 2.7800 | | 746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ40PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | Si4944dy-t1-e3 | - | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4944 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9.3a | 9.5mohm @ 12.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 21NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI3457CDV-T1-E3 | 0.6400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | |||||
 | SUP50010E-GE3 | 3.3600 | | 297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 212 NC @ 10 V | ± 20V | 10895 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
| Si4384dy-T1-E3 | - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4384 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.47W (TA) | ||||||
| Si4459ady-t1-ge3 | 1.6000 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4459 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | Irll014trpbf-be3 | 0.8800 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRLL014TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Sihfbc40as-ge3 | 1.7700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHFBC40As-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
| SQP120N06-06_GE3 | - | | 4109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 119a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6495 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||
 | SIS780DN-T1-GE3 | 0.6800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS780 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 24.5 NC @ 10 V | ± 20V | 722 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 27.7W (TC) | ||||||
 | IRFR210TRPBF | 0.5880 | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI7964DP-T1-E3 | - | | 3245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7964 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.1a | 23mohm @ 9.6a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 65nc @ 10V | - | - | ||||||
 | Sisa18adn-t1-ge3 | 0.6400 | | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 38.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
| SI4438DY-T1-GE3 | - | | 2325 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4438 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4645 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| SI4922BDY-T1-GE3 | 1.6400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4922 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 2070pf @ 15V | - | |||||||
| SI1029X-T1-E3 | - | | 3438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1029 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 305MA, 190MA | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7949DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7949 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 3.2a | 64mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 40nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SIHB30N60ET5-GE3 | 6.0700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | 1.1800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4168 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SQS405EN-T1_GE3 | 1.1100 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sqs405 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 13.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 75 NC @ 8 V | ± 8V | 2650 pf @ 6 V | - | 39W (TC) | ||||||
 | SiHD6N65ET4-GE3 | 0.7371 | | 3577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
| IRFB11N50APBF-BE3 | 2.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFB11N50APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | IRFU310 | - | | 3673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SI7220DN-T1-E3 | 2.5000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.4a | 60mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiHW47N60E-GE3 | 9.7500 | | 225 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 9620 pf @ 100 V | - | 357W (TC) | |||||
| Irfl210tr | - | | 8811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl210 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SI5943DU-T1-E3 | - | | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5943 | Mosfet (Óxido de metal) | 8.3w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6A | 64mohm @ 3.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 8V | 460pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7664DP-T1-E3 | - | | 3562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7664 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 12V | 7770 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)