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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP065 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SIA400EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | | 160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sia400 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 19mohm @ 11a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 12V | 1265 pf @ 15 V | - | 19.2W (TC) | |||||
 | SQJ402EP-T1_GE3 | 1.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2289 pf @ 40 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SI4102DY-T1-E3 | - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4102 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 158mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 50 V | - | 2.4W (TA), 4.8W (TC) | ||||
 | IRFBC30S | - | | 9367 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | Si7469Adp-T1-RE3 | 1.7600 | | 5339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7469 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si7469Adp-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 7.4a (TA), 46a (TC) | 19.3mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3420 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 73.5W (TC) | ||||||
 | Sq7414aen-t1_ge3 | - | | 7690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 30 V | - | 62W (TC) | |||||
 | IRF840A | - | | 1316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF840A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | Sir873dp-t1-ge3 | 1.6300 | | 9322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir873 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 37a (TC) | 10V | 47.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1805 pf @ 75 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SiHD11N80AE-GE3 | 1.8000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHD11N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 804 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||
 | Sum80090e-ge3 | 3.0600 | | 4696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum80090 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 128a (TC) | 7.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3425 pf @ 75 V | - | 375W (TC) | |||||
| SIA427DJ-T1-GE3 | 0.5700 | | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA427 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 16mohm @ 8.2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 50 NC @ 5 V | ± 5V | 2300 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | VQ1001P-2 | - | | 1057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1001 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 30V | 830mA | 1.75ohm @ 200 MMA, 5V | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF9620SPBF | 2.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
| Irf840strl | - | | 4531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI3499DV-T1-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3499DV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||||
 | IRFU420 | - | | 1097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu420 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SUM90N08-6M2P-E3 | - | | 2199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 90A (TC) | 6.2mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | 4620 pf @ 30 V | - | ||||||||
| SI7434Adp-T1-RE3 | 1.9000 | | 9762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7434 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 3.7a (TA), 12.3a (TC) | 7.5V, 10V | 150mohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 125 V | - | 5W (TA), 54.3W (TC) | |||||
 | SiHP6N80E-BE3 | 2.4400 | | 900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||||
 | IRL510L | - | | 5364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL510L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI8402DB-T1-E1 | - | | 3231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8402 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.3a (TA) | 37mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | - | |||||||||
| IRF9640PBF | 2.0400 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9640pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI5499DC-T1-GE3 | - | | 3336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5499 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 36mohm @ 5.1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 35 NC @ 8 V | ± 5V | 1290 pf @ 4 V | - | 2.5W (TA), 6.2W (TC) | ||||
| SI7230DN-T1-GE3 | 0.6174 | | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7230 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| Sir180DP-T1-RE3 | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32.4a (TA), 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.05mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | |||||
 | SQD50N10-8M9L_GE3 | 1.7500 | | 7224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | Siz704dt-t1-ge3 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz704 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR120TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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