RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Transistores (5716)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID
Si4544dy-t1-e3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4544	Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N Y Canal P, Drenaje Común		30V	-		35mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250 µA (min)	35nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
Sir632DP-T1-RE3	1.3900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir632	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	150 V	29a (TC)	7.5V, 10V	34.5mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 7.5 V	± 20V	740 pf @ 75 V	-	69.5W (TC)
IRF840LPBF	1.6170	RFQ	2118	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF840	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	8a (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRF9540Strl	-	RFQ	7576	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9540	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	100 V	19a (TC)	10V	200mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI3900DV-T1-GE3	0.9700	RFQ	3978	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SI3900	Mosfet (Óxido de metal)	830MW	6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	2A		125mohm @ 2.4a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	4NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SIHK125N60EF-T1GE3	5.4900	RFQ	50	Vishay Siliconix	EF	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	8-PowerBSFN		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak®10 x 12	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	21a (TC)	10V	125mohm @ 12a, 10v	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1863 pf @ 100 V	-	132W (TC)
SI4190BDY-T1-GE3	2.1600	RFQ	9018	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4190	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	100 V	12a (TA), 17a (TC)	4.5V, 10V	9.3mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	4150 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 8.4W (TC)
2N4119A	-	RFQ	3870	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN	2N4119		300 MW	TO-206AF (TO-72)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	200		N-canal								3pf @ 10V			40 V	200 µA @ 10 V	2 V @ 1 Na
SI8805EDB-T2-E1	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-XFBGA, CSPBGA	Si8805	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	8 V	2.2a (TA)	1.2V, 4.5V	68mohm @ 1.5a, 4.5V	700mv @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	± 5V		-	500MW (TA)
Irfiz14g	-	RFQ	7773	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfiz14	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfiz14g	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	60 V	8a (TC)	10V	200mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	27W (TC)
Sir514DP-T1-RE3	1.9800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	20.8a (TA), 84.8a (TC)	7.5V, 10V	5.8mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	2550 pf @ 50 V	-	5W (TA), 83.3W (TC)
SQ2309ES-T1_BE3	0.6700	RFQ	10	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2309	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	1.7a (TC)	4.5V, 10V	335mohm @ 1.25a, 10V	2.5V @ 250 µA	8.5 NC @ 10 V	± 20V	265 pf @ 25 V	-	2W (TC)
SIS112LDN-T1-GE3	0.6900	RFQ	4126	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SIS112LDN-T1-GE3CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	3.5a (TA), 8.8a (TC)	4.5V, 10V	119mohm @ 3.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	11.8 NC @ 10 V	± 20V	355 pf @ 50 V	-	3.2W (TA), 19.8W (TC)
Si4567dy-t1-e3	-	RFQ	8024	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4567	Mosfet (Óxido de metal)	2.75W, 2.95W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		40V	5a, 4.4a		60mohm @ 4.1a, 10V	2.2V @ 250 µA	12NC @ 10V		355pf @ 20V	-
SQA401EEJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	Sqa401	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	2.68a (TC)	2.5V, 4.5V	113mohm @ 2a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	5.3 NC @ 4.5 V	± 8V	375 pf @ 10 V	-	13.6W (TC)
Siz348dt-t1-ge3	1.1500	RFQ	5734	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	Siz348	Mosfet (Óxido de metal)	3.7W (TA), 16.7W (TC)	8-Power33 (3x3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	18A (TA), 30A (TC)		7.12mohm @ 15a, 10v	2.4V @ 250 µA	18.2NC @ 10V		820pf @ 15V	-
Siha25n50e-e3	3.2000	RFQ	6980	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Siha25	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	26a (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	86 NC @ 10 V	± 30V	1980 pf @ 100 V	-	35W (TC)
Irfu110	-	RFQ	7158	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU1	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfu110	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	100 V	4.3a (TC)	10V	540mohm @ 900 mA, 10V	4V @ 250 µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	25W (TC)
SI7862Adp-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7862	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	16 V	18a (TA)	2.5V, 4.5V	3mohm @ 29a, 4.5V	2V @ 250 µA	80 NC @ 4.5 V	± 8V	7340 pf @ 8 V	-	1.9W (TA)
SISS06DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8s	SISS06	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	47.6a (TA), 172.6a (TC)	4.5V, 10V	1.38mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 250 µA	77 NC @ 10 V	+20V, -16V	3660 pf @ 15 V	-	5W (TA), 65.7W (TC)
IRFR120TRPBF	1.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR120	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	100 V	7.7a (TC)	10V	270mohm @ 4.6a, 10V	4V @ 250 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
Si4276dy-t1-ge3	-	RFQ	1826	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4276	Mosfet (Óxido de metal)	3.6w, 2.8w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	8A		15.3mohm @ 9.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	26nc @ 10V		1000pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SQD50N04-4M5L_GE3	2.4400	RFQ	8132	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SQD50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	40 V	50A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	5860 pf @ 25 V	-	136W (TC)
SIA430DJ-T4-GE3	-	RFQ	9778	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA430	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	12a (TA), 12a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 7a, 10v	3V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W (TA), 19.2W (TC)
SQ3419AEEV-T1_BE3	0.7000	RFQ	3910	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-SQ3419AEEV-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	6.9a (TC)	4.5V, 10V	61mohm @ 2.5a, 10V	2.5V @ 250 µA	12.5 NC @ 4.5 V	± 12V	975 pf @ 20 V	-	5W (TC)
Siz904dt-t1-ge3	0.4969	RFQ	9768	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-PowerPair ™	Siz904	Mosfet (Óxido de metal)	20W, 33W	6-PowerPair ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canales N (Medio Puente)		30V	12a, 16a		24mohm @ 7.8a, 10V	2.5V @ 250 µA	12NC @ 10V		435pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SIA931DJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA931	Mosfet (Óxido de metal)	7.8w	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		30V	4.5a		65mohm @ 3a, 10v	2.2V @ 250 µA	13NC @ 10V		445pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
Irfl110	-	RFQ	1716	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Irfl110	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfl110	EAR99	8541.29.0095	80		N-canal	100 V	1.5a (TC)	10V	540mohm @ 900 mA, 10V	4V @ 250 µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)
Sq7414aenw-t1_ge3	-	RFQ	3575	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sq7414	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	18a (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 8.7a, 10V	2.5V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1590 pf @ 30 V	-	62W (TC)
SQ2303ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2303	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	2.5A (TC)	4.5V, 10V	170mohm @ 1.8a, 10v	2.5V @ 250 µA	6.8 NC @ 10 V	± 20V	210 pf @ 25 V	-	1.9W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²