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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4936bdy-t1-e3 | 0.9500 |  | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4936 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfu9210pbf | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9210 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9210pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Sqj422ep-t1_be3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj422ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 3.4mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7212 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb60 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
 | IRFI530GPBF | 1.9200 | | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi530gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 160mohm @ 5.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
 | SI5445BDC-T1-GE3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5445 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | Irfz48strlpbf | 2.2000 | | 667 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ48STRLPBFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||||
 | SI3867DV-T1-E3 | - | | 9705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3867 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 51mohm @ 5.1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Sir846Adp-T1-RE3 | 0.8618 | | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | SiHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg24 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SQ2319ES-T1-GE3 | - | | 3302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | 620 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SiHA12N50E-E3 | 1.8900 | | 8336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||
| SI3430DV-T1-GE3 | 1.2500 | | 8822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3430 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 170mohm @ 2.4a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI5414DC-T1-GE3 | - | | 9131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5414 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 17mohm @ 9.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 12V | 1500 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | ||||
 | SiHFPS40N50L-GE3 | 7.6600 | | 935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHFPS40N50L-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10v | 5V @ 250 µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 8110 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | |||||
 | IRF720Strl | - | | 4420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | Sqj423ep-t1_be3 | 1.1200 | | 2420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj423ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
 | 2N5116JTX02 | - | | 3942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
 | SQP25N15-52_GE3 | - | | 4977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2360 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||
 | SUM70030M-GE3 | 3.5300 | | 3959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SUM70030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 150A (TC) | 3.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 10870 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||
 | SQM120N10-09_GE3 | 1.9557 | | 8404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 9.5mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 8645 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
| Sir403edp-t1-ge3 | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir403 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 13a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 25V | 4620 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
| Irfz34strl | - | | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | SI7402DN-T1-GE3 | - | | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 13a (TA) | 1.8V, 4.5V | 5.7mohm @ 20a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
| Si4544dy-t1-e3 | - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4544 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V | - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 35nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sir632DP-T1-RE3 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir632 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 29a (TC) | 7.5V, 10V | 34.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 7.5 V | ± 20V | 740 pf @ 75 V | - | 69.5W (TC) | |||||
| IRF840LPBF | 1.6170 | | 2118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| IRF9540Strl | - | | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
| SI3900DV-T1-GE3 | 0.9700 | | 3978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3900 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2A | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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