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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf840strl | - |  | 4531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRF9620SPBF | 2.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
 | VQ1001P-2 | - | | 1057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1001 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 30V | 830mA | 1.75ohm @ 200 MMA, 5V | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7192DP-T1-GE3 | 3.1700 | | 5365 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7192 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5800 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SIJ150DP-T1-GE3 | 1.2600 | | 9137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ150 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiJ150DP-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 30.9A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.83mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4000 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | IRFIBF20GPBF | 3.0900 | | 2394 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibf20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.2a (TC) | 10V | 8ohm @ 720 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||
 | IRFR320TRPBF-BE3 | 1.7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
| SiHB22N60S-E3 | - | | 7326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2810 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
 | Siz704dt-t1-ge3 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz704 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFS11N50ATRLP | 2.9400 | | 330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | SI3499DV-T1-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3499DV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||||
 | SQD50N10-8M9L_GE3 | 1.7500 | | 7224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| Sir180DP-T1-RE3 | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32.4a (TA), 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.05mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| Sum80090e-ge3 | 3.0600 | | 4696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum80090 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 128a (TC) | 7.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3425 pf @ 75 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI7309DN-T1-E3 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7309 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | SiHFR9024TR-GE3 | 0.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr9024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFU9120 | - | | 1132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SIE830DF-T1-GE3 | - | | 2024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE830 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 12V | 5500 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SiHG61N65EF-GE3 | 9.2872 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg61 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 371 NC @ 10 V | ± 30V | 7407 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| IRF9Z34SPBF | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | IRF740APBF | 2.7800 | | 674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI1073X-T1-GE3 | - | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1073 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 980MA (TA) | 4.5V, 10V | 173mohm @ 980mA, 10V | 3V @ 250 µA | 9.45 NC @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRFZ40PBF-BE3 | 2.7800 | | 746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ40PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | Si4944dy-t1-e3 | - | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4944 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9.3a | 9.5mohm @ 12.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 21NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI3457CDV-T1-E3 | 0.6400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | |||||
 | SI2308CDS-T1-GE3 | 0.3900 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.6a (TC) | 4.5V, 10V | 144mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 4 NC @ 10 V | ± 20V | 105 pf @ 30 V | - | 1.6W (TC) | ||||
 | SUP50010E-GE3 | 3.3600 | | 297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 212 NC @ 10 V | ± 20V | 10895 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
| Si4384dy-T1-E3 | - | | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4384 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.47W (TA) | ||||||
| Si4459ady-t1-ge3 | 1.6000 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4459 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | Irll014trpbf-be3 | 0.8800 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRLL014TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) |
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