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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUM18N25-165-E3 | - |  | 3948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum18 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 18a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
 | Si4214dy-t1-ge3 | - | | 7433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4214 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8.5A | 23.5mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 785pf @ 15V | - | |||||||
 | SQJ840EP-T1_GE3 | 0.7329 | | 6983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj840 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 10.3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 15 V | - | 46W (TC) | |||||
| Si4330dy-t1-e3 | - | | 4591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4330 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.6a | 16.5mohm @ 8.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFI520GPBF | 1.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi520gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 7.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
 | SQJA68EP-T1_GE3 | 0.8300 | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8L | Sqja68 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | SIHB12N50E-GE3 | 2.3900 | | 5146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | IRFR9014TRL | - | | 1030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| Si9945aey-t1 | - | | 4187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9945 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q4552539A | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.7a | 80mohm @ 3.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SiHW47N60EF-GE3 | 6.4775 | | 9219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 65mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 225 NC @ 10 V | ± 30V | 4854 pf @ 100 V | - | 379W (TC) | |||||
 | SIRA84DP-T1-GE3 | 0.5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira84 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1535 pf @ 15 V | - | 34.7W (TC) | |||||
| Irliz34g | - | | 3138 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irliz34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irliz34g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 12a, 5V | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
 | Siz346dt-t1-ge3 | 0.7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz346 | Mosfet (Óxido de metal) | 16W, 16.7W | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 17A (TC), 30A (TC) | 28.5mohm @ 10a, 10v, 11.5mohm @ 14.4a, 10v | 2.2V @ 250 µA, 2.4V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V, 9NC @ 4.5V | 325pf @ 15V, 650pf @ 15V | - | |||||||
| Irfr010trl | - | | 7602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
| Si4932dy-t1-ge3 | 1.4000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4932 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 1750pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Irfi734gpbf | - | | 4180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi734gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 3.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | Irfz24strpbf | 1.4700 | | 2949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | SI1330EDL-T1-E3 | 0.5300 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1330 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 240MA (TA) | 3V, 10V | 2.5ohm @ 250 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 280MW (TA) | |||||
| IRL2203Strl | - | | 1063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL2203 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | ||||
| IRFBC40LCSTRR | - | | 1371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SIE844DF-T1-GE3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE844 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44.5a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 12.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Irfu014 | - | | 4937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| IRL540Strr | - | | 8780 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
| SQJA72EP-T1_GE3 | 1.5700 | | 6535 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja72 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 37a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1390 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||
 | Siz200dt-t1-ge3 | 1.0300 | | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz200 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 22a (TA), 61a (TC), 22a (TA), 60a (TC) | 5.5mohm @ 10a, 10v, 5.8mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 28nc @ 10V, 30nc @ 10V | 1510pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - | |||||||
| IRLI530G | - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI530G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 5.8a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| SI4110DY-T1-GE3 | - | | 7785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4110 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 17.3a (TC) | 10V | 13mohm @ 11.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2205 pf @ 40 V | - | 3.6W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| Siz322dt-t1-ge3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz322 | Mosfet (Óxido de metal) | 16.7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 30A (TC) | 6.35mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20.1NC @ 10V | 950pf @ 12.5V | - | |||||||
 | SI6562CDQ-T1-GE3 | 1.0200 | | 8040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w, 1.7w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6.7a, 6.1a | 22mohm @ 5.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 850pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI2329DS-T1-GE3 | 0.5900 | | 6689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2329 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 6a (TC) | 1.2V, 4.5V | 30mohm @ 5.3a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1485 pf @ 4 V | - | 2.5W (TC) |
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