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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4834CDY-T1-E3 | - |  | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4834 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.9w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 20mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | - | ||||||||||
 | SISD5300DN-T1-GE3 | 1.6100 | | 8063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-F | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 62a (TA), 198a (TC) | 4.5V, 10V | 0.87mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 36.2 NC @ 10 V | +16V, -12V | 5030 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 57W (TC) | |||||||||
 | Sizf640dt-t1-ge3 | 2.8000 | | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerDFN | Sizf640 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.2W (TA), 62.5W (TC) | Powerpair® 6x5fs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 40V | 41a (TA), 159A (TC) | 1.37mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 106nc @ 10V | 5750pf @ 20V | - | ||||||||||
 | Irf737lcstrl | - | | 2436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | ||||||||
| Si4900dy-t1-e3 | 1.2500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4900 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.3a | 58mohm @ 4.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | IRF620L | - | | 5946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF620 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF620L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | - | |||||||
 | VP0808B-2 | - | | 2354 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | VP0808 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal P | 80 V | 880MA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | ||||||||
 | SI1029X-T1-GE3 | 0.5100 | | 3281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1029 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 305MA, 190MA | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SI5406CDC-T1-GE3 | - | | 8521 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5406 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 8 V | ± 8V | 1100 pf @ 6 V | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | |||||||
 | Siha22n60ae-e3 | 1.9110 | | 2216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1451 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||||||
 | SI7962DP-T1-E3 | - | | 4984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7962 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.1A | 17mohm @ 11.1a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 70nc @ 10V | - | - | ||||||||||
 | SI3437DV-T1-GE3 | 0.9300 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3437 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 1.4a (TC) | 6V, 10V | 750mohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||||||
| Irfbc30strl | - | | 7558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||
| SI3586DV-T1-GE3 | - | | 4225 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3586 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.9a, 2.1a | 60mohm @ 3.4a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SIB912DK-T1-GE3 | 0.5100 | | 75 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB912 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1.5a | 216mohm @ 1.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3NC @ 8V | 95pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | IRFR214TRPBF-BE3 | 0.6159 | | 9943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 742-IRFR214TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||
 | SUD08P06-155L-GE3 | 1.0000 | | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud08 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8.4a (TC) | 4.5V, 10V | 155mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 1.7W (TA), 20.8W (TC) | ||||||||
| IRF620SPBF | 2.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF620SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | SI1431DH-T1-E3 | - | | 6464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1431 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.7a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10v | 3V @ 100 µA | 4 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 950MW (TA) | ||||||||
 | SIS902DN-T1-GE3 | - | | 2874 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS902 | Mosfet (Óxido de metal) | 15.4W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 75V | 4A | 186mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6NC @ 10V | 175pf @ 38V | - | |||||||||
 | SIA4371EDJ-T1-GE3 | 0.5300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sia4371edj-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.4a (TA), 9a (TC) | 2.5V, 10V | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||||||
 | SST4118-T1-E3 | - | | 6311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4118 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 V | 80 µA @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | 0.7000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 700 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||||||
 | Sir438dp-t1-ge3 | 1.9500 | | 261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir438 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4560 pf @ 10 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||||||
| SIRA10BDP-T1-GE3 | 0.8400 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36.2 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1710 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 43W (TC) | ||||||||
| SI1563EDH-T1-GE3 | - | | 5067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SI5475DDC-T1-GE3 | - | | 7806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5475 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 50 NC @ 8 V | ± 8V | 1600 pf @ 6 V | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | |||||||
| SI3850AdV-T1-E3 | - | | 9771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3850 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.08W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 20V | 1.4a, 960MA | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| SI3476DV-T1-GE3 | 0.5500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3476 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 93mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 20V | 195 pf @ 40 V | - | 2W (TA), 3.6W (TC) | ||||||||
 | SI5997DU-T1-GE3 | - | | 3528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5997 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 6A | 54mohm @ 3a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 14.5nc @ 10V | 430pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico |
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