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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf710l | - |  | 2427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf710l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6924 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 28 V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI3433CDV-T1-E3 | 0.5100 | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3433 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 38mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1300 pf @ 10 V | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SI7886AdP-T1-E3 | - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7886 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 1.5V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 12V | 6450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3410 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | |||||
 | Sq2364ees-t1_be3 | 0.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2a (TC) | 1.5V, 4.5V | 240mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||||
 | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | | 1565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj409ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| SI3473DV-T1-E3 | - | | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Irfbe30spbf | 3.2000 | | 6859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbe30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI4808DY-T1-GE3 | - | | 4666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4808 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 800MV @ 250 µA (min) | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiJH800E-T1-GE3 | 4.8400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 29a (TA), 299A (TC) | 7.5V, 10V | 1.55mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 10230 pf @ 40 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
| Si4226dy-t1-ge3 | - | | 4490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4226 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 19.5mohm @ 7a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 36nc @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||||||
 | SIB412DK-T1-GE3 | - | | 1362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 6.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8V | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 120MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1562 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
| SI7431DP-T1-GE3 | 4.0900 | | 1015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 174mohm @ 3.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0.5100 | | 6957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA817 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 65mohm @ 3a, 10v | 1.3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 12V | 600 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | |||||
| SI2306BDS-T1-BE3 | 0.5500 | | 4754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2306bds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.16a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||||
 | SI5913DC-T1-E3 | - | | 1184 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3.7a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | | 509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101, E | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQW44N65EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 266 NC @ 10 V | ± 30V | 5858 pf @ 100 V | - | 500W (TC) | |||||
| SIHB22N65E-T1-GE3 | 4.8100 | | 797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB22N65E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||
 | IRFR420ATRPBF | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 3.3a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
| SI4840BDY-T1-E3 | 1.6600 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | |||||
| SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 37.1a (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 9.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SUD70090E-GE3 | 1.5800 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud70090 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 7.5V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7270DP-T1-GE3 | - | | 2475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7270 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRF9Z34StrrPBF | 2.8100 | | 408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SI8407DB-T2-E1 | - | | 5162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | Si8407 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (2.4x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 1a, 4.5V | 900mv @ 350 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.47W (TA) | |||||
 | SiHG47N65E-GE3 | 8.0800 | | 5833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 273 NC @ 10 V | ± 30V | 5682 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
| Sqj403beep-t1_be3 | 1.6000 | | 7997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj403beep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 164 NC @ 10 V | ± 20V | - | 68W (TC) |
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