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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siha21n80aef-ge3 | 3.0700 |  | 957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Siha21n80aef-ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 7a (TC) | 10V | 250mohm @ 8.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 30V | 1511 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||||
 | SUD50N025-06P-E3 | - | | 2955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 25 V | 78a (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2490 pf @ 12 V | - | 10.7W (TA), 65W (TC) | ||||
 | SISS27DN-T1-GE3 | 0.8400 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS27 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI3446Adv-T1-E3 | - | | 1627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3446 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 37mohm @ 5.8a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 12V | 640 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||
 | SI1926DL-T1-E3 | 0.4100 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1926 | Mosfet (Óxido de metal) | 510MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 370MA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 10V | 18.5pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7309DN-T1-GE3 | 1.0400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7309 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | Irfrc20trl | - | | 8772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SIRA32DP-T1-RE3 | 1.0600 | | 5641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira32 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | +16V, -12V | 4450 pf @ 10 V | - | 65.7W (TC) | |||||
 | SUM110N04-03-E3 | - | | 3985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 8250 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | Irf644n | - | | 2838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf644n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| Sihd6n65e-ge3 | 1.6100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
| Sir610DP-T1-RE3 | 1.8800 | | 4446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir610 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 35.4a (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | IRFBC30As | - | | 5193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30As | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SQJ946EP-T1_GE3 | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj946 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 15A (TC) | 33mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 600pf @ 25V | - | |||||||
 | SI2309CDS-T1-GE3 | 0.5500 | | 83 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 345mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | SQ9961EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4961 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 4.4a (TC) | 85mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40nc @ 10V | 1140pf @ 25V | - | |||||||
 | SQ4050EY-T1_GE3 | 1.0500 | | 1908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4050 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2406 pf @ 20 V | - | 6W (TC) | ||||||
| SIHP17N60D-E3 | 1.7493 | | 4844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SIHP17N60DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||
 | SQJ411EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 5.8mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 9100 pf @ 6 V | - | 68W (TC) | |||||
 | Irfd010 | - | | 1858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd010 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 V | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||
 | SI7940DP-T1-E3 | - | | 9697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7940 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 12V | 7.6a | 17mohm @ 11.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFI640GPBF | 3.6700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi640gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9.8a (TC) | 10V | 180mohm @ 5.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| Sir414dp-t1-ge3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 20 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| SI2316BDS-T1-E3 | 0.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 1.66W (TC) | ||||
| IRF9620PBF | 1.6800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9620pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SiHG17N80E-GE3 | 5.4100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||
| SI7469DP-T1-E3 | 2.6600 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7469 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| Irfbc40strlpbf | 4.4500 | | 3642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
| IRFI840GLCPBF | 2.9600 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFI840GLCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) |
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