SIC
close

Transistores (5716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4162 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 19.3a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1155 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
SISS5708DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5708DN-T1-GE3 1.8100
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 9.3a (TA), 33.8a (TC) 7.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 975 pf @ 75 V - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRFBC40ASPBF Vishay Siliconix Irfbc40aspbf 4.4500
RFQ
 ECAD 464 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfbc40aspbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1036 pf @ 25 V - 125W (TC)
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB80EP-T1_GE3 1.3100
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual SQJB80 Mosfet (Óxido de metal) 48W Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 80V 30A (TC) 19mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 32NC @ 10V 1400pf @ 25V -
SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7141DP-T1-GE3 2.3200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7141 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 400 NC @ 10 V ± 20V 14300 pf @ 10 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA906EDJ-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Dual SIA906 Mosfet (Óxido de metal) 7.8w Powerpak® SC-70-6 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 4.5a 46mohm @ 3.9a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 12NC @ 10V 350pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SIR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir618dp-t1-ge3 1.1000
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir618 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 14.2a (TC) 7.5V, 10V 95mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 16 NC @ 7.5 V ± 20V 740 pf @ 100 V - 48W (TC)
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI44997DY-T1-GE3 1.8800
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4497 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 36A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 20V 9685 pf @ 15 V - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1067X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Si1067 Mosfet (Óxido de metal) SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.06a (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1.06a, 4.5V 950MV @ 250 µA 9.3 NC @ 5 V ± 8V 375 pf @ 10 V - 236MW (TA)
SI4833ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4833ady-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4833 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 4.6a (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1.93W (TA), 2.75W (TC)
IRF9610STRRPBF Vishay Siliconix IRF9610StrrPBF 0.5187
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF9610 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 742-IRF9610StrrPBFTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 200 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 3W (TA), 20W (TC)
IRFPC50LCPBF Vishay Siliconix IRFPC50LCPBF 4.0688
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFPC50 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFPC50LCPBF EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 600mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRFZ24L Vishay Siliconix Irfz24l -
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFZ24 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irfz24l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 17a (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
SQD15N06-42L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD15N06-42L_T4GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 15A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 535 pf @ 25 V - 37W (TC)
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4410bdy-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4410 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 7.5a (TA) 10V 13.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V - 1.4W (TA)
SI1404BDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1404BDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1404 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.9a (TA), 2.37a (TC) 2.5V, 4.5V 238mohm @ 1.9a, 4.5V 1.3V @ 250 µA 2.7 NC @ 4.5 V ± 12V 100 pf @ 15 V - 1.32W (TA), 2.28W (TC)
SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ244EP-T1_GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual SQJ244 Mosfet (Óxido de metal) 27W (TC), 48W (TC) Powerpak® SO-8 dual asimétrico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 40V 20A (TC), 60A (TC) 11mohm @ 4a, 10v, 4.5mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 20nc @ 10V, 45nc @ 10V 1200pf @ 25V, 2800pf @ 25V -
SIHF530-GE3 Vishay Siliconix SiHF530-GE3 -
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SIHF530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 14a (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 670 pf @ 25 V - 88W (TC)
SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4914 Mosfet (Óxido de metal) 2.7W, 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canales N (Medio Puente) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10v 2.7V @ 250 µA 10.5nc @ 4.5V - -
SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7302DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SI7302 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 220 V 8.4a (TC) 4.5V, 10V 320mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 645 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7214DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7214DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual Si7214 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 4.6a 40mohm @ 6.4a, 10V 3V @ 250 µA 6.5nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7636DP-T1-E3 1.8500
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7636 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 5600 pf @ 15 V - 1.9W (TA)
IRFU320 Vishay Siliconix Irfu320 -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU3 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu320 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 400 V 3.1a (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4230DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4230dy-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4230 Mosfet (Óxido de metal) 3.2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 20.5mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 µA 25nc @ 10V 950pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SI9926BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si9926bdy-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si9926 Mosfet (Óxido de metal) 1.14W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 6.2a 20mohm @ 8.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHFR320-GE3 Vishay Siliconix SiHFR320-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SiHFR320 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 400 V 3.1a (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4561DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4561 Mosfet (Óxido de metal) 3W, 3.3W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 6.8a, 7.2a 35.5mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V 640pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
SIHB17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80E-GE3 5.1200
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB17 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250 µA 122 NC @ 10 V ± 30V 2408 pf @ 100 V - 208W (TC)
SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix Siss26ldn-t1-ge3 1.3000
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS26 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 23.7a (TA), 81.2a (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1980 pf @ 30 V - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4501ady-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4501 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N Y Canal P, Drenaje Común 30V, 8V 6.3a, 4.1a 18mohm @ 8.8a, 10v 1.8V @ 250 µA 20NC @ 5V - Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar