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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4830ady-T1-E3 | - |  | 9870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4830 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7114DN-T1-E3 | 1.7500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7114 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11.7a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SQD19P06-60L_GE3 | 1.6000 | | 9867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD19 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 19a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||||
 | IRL3303D1STRR | - | | 9378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL3303 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||
 | IRFR9014TRLPBF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Si4562dy-T1-E3 | - | | 3507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4562 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | - | 25mohm @ 7.1a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 50NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1450DH-T1-E3 | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1450 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 4.53a (TA), 6.04a (TC) | 1.5V, 4.5V | 47mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.05 NC @ 5 V | ± 5V | 535 pf @ 4 V | - | 1.56W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | Irfl214pbf | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl214 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 250 V | 790MA (TC) | 10V | 2ohm @ 470ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| IRFR9120 | - | | 7644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| SiHFR430ATR-GE3 | 0.4263 | | 2827 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR430ATR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
 | SI7958DP-T1-GE3 | - | | 4831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7958 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.2a | 16.5mohm @ 11.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8415DB-T1-E1 | - | | 9867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8415 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 37mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.47W (TA) | |||||
 | Sir826dp-t1-ge3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI7686DP-T1-GE3 | 1.5800 | | 567 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7686 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1220 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 37.9W (TC) | |||||
| IRL640STRPBF | 2.9500 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | VQ1004P-E3 | - | | 3635 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | VQ1004 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 830 mA (TA) | 5V, 10V | - | - | ± 20V | - | - | |||||||
| 2N4861JAN02 | - | | 5904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4861 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | ||||||||||||||
| IRFR9120TRPBF | 1.4000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI3473CDV-T1-GE3 | 0.7100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 8.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 65 NC @ 8 V | ± 8V | 2010 PF @ 6 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
| SI7461DP-T1-GE3 | 2.4000 | | 6795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8.6a (TA) | 4.5V, 10V | 14.5mohm @ 14.4a, 10v | 3V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SI5479DU-T1-GE3 | - | | 4442 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5479 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 6.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 51 NC @ 8 V | ± 8V | 1810 pf @ 6 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
| Si4186dy-t1-ge3 | 1.2100 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4186 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 35.8a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 pf @ 10 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| IRFR9024TRLPBF | 1.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFIBC20GPBF | 2.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibc20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIBC20GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||
 | SiHS20N50C-E3 | 5.1592 | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Sihs20 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 480 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2942 pf @ 25 V | - | 250MW (TC) | |||||
| IRFI740GPBF | 2.9300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi740gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1370 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | SI8465DB-T2-E1 | 0.4500 | | 90 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8465 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 104mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 12V | 450 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | SIHD11N80AE-T4-GE3 | 1.8000 | | 9661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHD11N80AE-T4-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 804 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
 | Siha105n60ef-ge3 | 3.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha105 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1804 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | IRF644PBF-BE3 | 1.7300 | | 980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF644PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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