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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siha24n65ef-ge3 | 5.9100 |  | 990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 10a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||||
 | SIRS700DP-T1-GE3 | 3.4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 30A (TA), 127A (TC) | 7.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5950 pf @ 50 V | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | ||||||
 | SIS890DN-T1-GE3 | 1.4000 | | 622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS890 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 802 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI7703EDN-T1-E3 | - | | 8628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7703 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.3W (TA) | ||||||
 | SI7434DP-T1-GE3 | 3.1400 | | 472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7434 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.3a (TA) | 6V, 10V | 155mohm @ 3.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIDR578EP-T1-RE3 | 2.9500 | | 1337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR578 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 17.4a (TA), 78a (TC) | 7.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 75 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
 | IRL3302L | - | | 3766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL3302 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3302L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 31 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1300 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||
 | SiHB30N60E-E3 | - | | 2292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SIHB30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
 | SUD25N04-25-E3 | - | | 2043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||
 | Sihh080n60e-t1-ge3 | 5.1700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHH080N60E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 80mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2557 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | |||||
 | Sir5802DP-T1-RE3 | 1.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR5802DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 33.6a (TA), 137.5a (TC) | 7.5V, 10V | 2.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI7186DP-T1-E3 | - | | 5402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 32A (TC) | 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
 | SI3437DV-T1-BE3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 1.1a (TA), 1.4a (TC) | 6V, 10V | 750mohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | |||||||
 | SI1317DL-T1-BE3 | 0.4600 | | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1317 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1317DL-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.4a (TA), 1.4a (TC) | 150mohm @ 1.4a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 272 pf @ 10 V | - | 400MW (TA), 500MW (TC) | |||||
 | SIA413ADJ-T1-GE3 | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 29mohm @ 6.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 8 V | ± 8V | 1800 pf @ 10 V | - | 19W (TC) | ||||||
 | Sihu3n50d-e3 | 0.3810 | | 3276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
 | Sihfbe30strl-ge3 | 1.8400 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Sihfbe30strl-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | SiHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk075 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 71mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2954 pf @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||
 | SQA700CEJW-T1_GE3 | 0.5600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 79mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9.5 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | ||||||
 | Si4048dy-t1-ge3 | - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4048 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 19.3a (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SI7415DN-T1-E3 | 1.6000 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.6a (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRFPF40 | - | | 2484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPF40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPF40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 V | 4.7a (TC) | 10V | 2.5ohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI4010DY-T1-GE3 | - | | 6705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4010 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 31.3a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
| Si4923dy-t1-ge3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4923 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 6.2a | 21mohm @ 8.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 70nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRLI640GPBF | 3.3400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLI640GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9.9a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 5.9a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| IRF644S | - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF644S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| SIHB180N60E-GE3 | 1.7861 | | 2921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB180 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SIA921EDJ-T4-GE3 | 0.2467 | | 2159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA921 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 59mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFR9020TRL | - | | 2067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 9.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 42W (TC) |
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