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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6463BDQ-T1-GE3 | - |  | 3319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6463 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6.2a (TA) | 15mohm @ 7.4a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 60 NC @ 5 V | - | |||||||||
 | IRLI540GPBF | 2.1600 | | 364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
 | SQJQ144AE-T1_GE3 | 2.7700 | | 4319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ144 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 575A (TC) | 10V | 0.9mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 9020 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||
 | IRFR420TRPBF | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFPC40 | - | | 8904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Sir178DP-T1-RE3 | 1.7200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir178 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR178DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 100A (TA), 430A (TC) | 2.5V, 10V | 0.4mohm @ 30a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 310 NC @ 10 V | +12V, -8V | 12430 pf @ 10 V | - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||
 | SI7107DN-T1-GE3 | - | | 7992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7107 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 10.8mohm @ 15.3a, 4.5V | 1V @ 450 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0.9000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 485 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
 | Irfu310pbf | 1.4900 | | 8291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu310pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SUM40N02-12P-E3 | - | | 8901 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1000 pf @ 10 V | - | 3.75W (TA), 83W (TC) | ||||
| SIRA18DP-T1-RE3 | 0.1904 | | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 14.7W (TC) | ||||||
| Irfu320pbf | 1.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu320 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu320pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRF820S | - | | 8597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF820S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | SI4778DY-T1-GE3 | - | | 8387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4778 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 16V | 680 pf @ 13 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRFB16N60LPBF | - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb16n60lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 2720 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||
 | SIA425EDJ-T1-GE3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||||
 | SQJ415EP-T1_GE3 | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 8282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA471 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12.9a (TA), 30.3a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 27.8 NC @ 10 V | +16V, -20V | 1170 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | SISF20DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 6407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SCD Dual | SISF20 | Mosfet (Óxido de metal) | 5.2W (TA), 69.4W (TC) | Powerpak® 1212-8SCD Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 14A (TA), 52A (TC) | 13mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 1290pf @ 30V | - | |||||||
| SQM50034EL_GE3 | 2.1900 | | 450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50034 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SISS73DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 5309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS73 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 4.4a (TA), 16.2a (TC) | 10V | 125mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 719 pf @ 75 V | - | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
 | SiHD2N80AE-GE3 | 0.5174 | | 1677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2266-SiHD2N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 2.9a (TC) | 10V | 2.9ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 30V | 180 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||
| SiHG22N60EF-GE3 | 4.2500 | | 456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 182mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
| SQJA78EP-T1_GE3 | 1.7100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja78 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 72a (TC) | 10V | 5.3mohm @ 10a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| SIS128LDN-T1-GE3 | 0.9900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS128 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 10.2a (TA), 33.7a (TC) | 4.5V, 10V | 15.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 40 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SUP60020E-GE3 | 3.1100 | | 198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP60020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2.4mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 227 NC @ 10 V | ± 20V | 10680 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SIHP690N60E-GE3 | 1.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP690 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.4a (TC) | 10V | 700mohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 347 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | Sihll110tr-ge3 | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihll110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 900 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | IRFZ34SPBF | 1.5800 | | 6732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SiHF640S-GE3 | 2.0800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) |
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