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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir616dp-t1-ge3 | 1.4800 |  | 5061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir616 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 20.2a (TC) | 7.5V, 10V | 50.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 28 NC @ 7.5 V | ± 20V | 1450 pf @ 100 V | - | 52W (TC) | |||||
 | SI7440DP-T1-GE3 | - | | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 21a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SiHFR1N60A-GE3 | 1.0000 | | 2762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
 | SI4190DY-T1-GE3 | - | | 5429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4190 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 20A (TC) | 8.8mohm @ 15a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | 2000 pf @ 50 V | - | ||||||||
 | SiHG22N65E-GE3 | 3.2943 | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | Irfbf20pbf | 2.4100 | | 996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbf20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | ||||
 | Irfu9024pbf | 1.6400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRFP340 | - | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP340 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP340 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 11a (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SQD23N06-31L_T4GE3 | 0.4269 | | 4967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD23N06-31L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 845 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
 | SI8451DB-T2-E1 | - | | 7660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8451 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10.8a (TC) | 1.5V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 750 pf @ 10 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | 0.9100 | | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4425 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 19.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 13a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2610 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | SIHP100N60E-GE3 | 4.9900 | | 9474 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1851 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SI3467DV-T1-GE3 | - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3467 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SI5933DC-T1-E3 | - | | 6428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.7a | 110mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.7nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7447AdP-T1-E3 | - | | 9665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7447 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 25V | 4650 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | ||||
| IRF734 | - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF734 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 6V, 10V | 26mohm @ 9.3a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 3342 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SI5943DU-T1-GE3 | - | | 5749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5943 | Mosfet (Óxido de metal) | 8.3w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6A | 64mohm @ 3.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 8V | 460pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6928DQ-T1-GE3 | - | | 7157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6928 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4A | 35mohm @ 4a, 10v | 1V @ 250 µA | 14nc @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SIRS5800DP-T1-GE3 | 3.1900 | | 7790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sirs5800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | N-canal | 80 V | 46a (TA), 265a (TC) | 7.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 6190 pf @ 40 V | - | 7.4W (TA), 240W (TC) | |||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5504 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W, 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4a, 3.7a | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA110DJ-T1-GE3 | 0.9300 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA110 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 5.4a (TA), 12a (TC) | 7.5V, 10V | 55mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 50 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI3499DV-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3499 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SQ1420EEH-T1-GE3 | - | | 2902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1420 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 1.6a (TC) | 140mohm @ 1.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 4 NC @ 4.5 V | 215 pf @ 25 V | - | ||||||||
| Irfr024tr | - | | 4852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRF510 | - | | 4855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
| SI3473CDV-T1-GE3 | 0.7100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 8.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 65 NC @ 8 V | ± 8V | 2010 PF @ 6 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
| Sir826dp-t1-ge3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfi644g | - | | 7730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi644g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) |
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