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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI7900AEDN-T1-E3	1.7000	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7900	Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		20V	6A		26mohm @ 8.5a, 4.5V	900MV @ 250 µA	16NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SIS429DNT-T1-GE3	0.1378	RFQ	1479	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS429	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	20A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 10.5a, 10v	3V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 15 V	-	27.8W (TC)
Sq3419ev-t1-ge3	-	RFQ	1109	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SQ3419	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	7.4a (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 2.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 12V	1065 pf @ 20 V	-	5W (TC)
SI7112DN-T1-E3	1.7500	RFQ	3205	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7112	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	11.3a (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 17.8a, 10v	1.5V @ 250 µA	27 NC @ 4.5 V	± 12V	2610 pf @ 15 V	-	1.5W (TA)
Si4830ady-T1-E3	-	RFQ	9870	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SI4830	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canales N (Medio Puente)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10v	3V @ 250 µA	11NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI1050X-T1-GE3	0.5100	RFQ	60	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SI1050	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	8 V	1.34a (TA)	1.5V, 4.5V	86mohm @ 1.34a, 4.5V	900MV @ 250 µA	11.6 NC @ 5 V	± 5V	585 pf @ 4 V	-	236MW (TA)
Sir178DP-T1-RE3	1.7200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir178	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SIR178DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	100A (TA), 430A (TC)	2.5V, 10V	0.4mohm @ 30a, 10V	1.5V @ 250 µA	310 NC @ 10 V	+12V, -8V	12430 pf @ 10 V	-	6.3W (TA), 104W (TC)
Sir618dp-t1-ge3	1.1000	RFQ	4242	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir618	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	14.2a (TC)	7.5V, 10V	95mohm @ 8a, 10v	4V @ 250 µA	16 NC @ 7.5 V	± 20V	740 pf @ 100 V	-	48W (TC)
SIB412DK-T1-E3	-	RFQ	7233	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-75-6	SIB412	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-75-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	9A (TC)	1.8V, 4.5V	34mohm @ 6.6a, 4.5V	1V @ 250 µA	10.16 NC @ 5 V	± 8V	535 pf @ 10 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
Sish472dn-t1-ge3	0.6500	RFQ	437	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8SH	Sish472	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SH	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	15A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	997 pf @ 15 V	-	3.5W (TA), 28W (TC)
SI5418DU-T1-GE3	1.3200	RFQ	659	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® chipfet ™ single	Si5418	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® chipfet ™ single	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	12a (TC)	4.5V, 10V	14.5mohm @ 7.7a, 10v	3V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 15 V	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI4842BDY-T1-GE3	2.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4842	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	28a (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3650 pf @ 15 V	-	3W (TA), 6.25W (TC)
SiHG73N60AEL-GE3	12.0500	RFQ	40	Vishay Siliconix	El	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg73	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	69a (TC)	10V	42mohm @ 36.5a, 10V	4V @ 250 µA	342 NC @ 10 V	± 30V	6709 pf @ 100 V	-	520W (TC)
SI4378DY-T1-E3	-	RFQ	8021	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4378	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	20 V	19a (TA)	2.5V, 4.5V	2.7mohm @ 25A, 4.5V	1.8V @ 250 µA	55 NC @ 4.5 V	± 12V	8500 pf @ 10 V	-	1.6w (TA)
IRF9640	-	RFQ	3506	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9640	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF9640	EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P	200 V	11a (TC)	10V	500mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI1404BDH-T1-E3	-	RFQ	6228	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1404	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	1.9a (TA), 2.37a (TC)	2.5V, 4.5V	238mohm @ 1.9a, 4.5V	1.3V @ 250 µA	2.7 NC @ 4.5 V	± 12V	100 pf @ 15 V	-	1.32W (TA), 2.28W (TC)
SQD35N05-26L-GE3	-	RFQ	7356	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sqd35n	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	55 V	30A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	18 NC @ 5 V	± 20V	1175 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SiHF530-GE3	-	RFQ	1771	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHF530	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	100 V	14a (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10v	4V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	670 pf @ 25 V	-	88W (TC)
IRFBC30As	-	RFQ	5193	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFBC30	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFBC30As	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	3.6a (TC)	10V	2.2ohm @ 2.2a, 10v	4.5V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 30V	510 pf @ 25 V	-	74W (TC)
SQJ244EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	SQJ244	Mosfet (Óxido de metal)	27W (TC), 48W (TC)	Powerpak® SO-8 dual asimétrico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Asimétrico del canal (dual)		40V	20A (TC), 60A (TC)		11mohm @ 4a, 10v, 4.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	20nc @ 10V, 45nc @ 10V		1200pf @ 25V, 2800pf @ 25V	-
Si4434dy-t1-e3	3.0000	RFQ	5766	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4434	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	250 V	2.1a (TA)	6V, 10V	155mohm @ 3a, 10v	4V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 20V		-	1.56W (TA)
Sum70060e-ge3	2.0800	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sum70060	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	100 V	131a (TC)	7.5V, 10V	5.6mohm @ 30a, 10v	4V @ 250 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	3330 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Si4942dy-t1-ge3	-	RFQ	4876	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4942	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		40V	5.3a		21mohm @ 7.4a, 10V	3V @ 250 µA	32NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SIHB12N50C-E3	2.7783	RFQ	9206	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB12	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	12a (TC)	10V	555mohm @ 4a, 10v	5V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 30V	1375 pf @ 25 V	-	208W (TC)
Siha105n60ef-ge3	3.7600	RFQ	1	Vishay Siliconix	EF	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Siha105	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	12a (TC)	10V	102mohm @ 13a, 10v	5V @ 250 µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1804 pf @ 100 V	-	35W (TC)
SI1563EDH-T1-E3	-	RFQ	9088	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1563	Mosfet (Óxido de metal)	570MW	SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal		20V	1.13a, 880 mA		280mohm @ 1.13a, 4.5V	1V @ 100 µA	1NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SIHP22N60EL-GE3	2.1903	RFQ	2841	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP22	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	21a (TC)	10V	197mohm @ 11a, 10v	5V @ 250 µA	74 NC @ 10 V	± 30V	1690 pf @ 100 V	-	227W (TC)
SI4914BDY-T1-GE3	-	RFQ	6992	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4914	Mosfet (Óxido de metal)	2.7W, 3.1W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canales N (Medio Puente)		30V	8.4a, 8a		21mohm @ 8a, 10v	2.7V @ 250 µA	10.5nc @ 4.5V		-	-
IRL510PBF	1.3500	RFQ	13	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRL510	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRL510pbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	5.6a (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250 µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SI7302DN-T1-GE3	-	RFQ	2381	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SI7302	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	220 V	8.4a (TC)	4.5V, 10V	320mohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	645 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²