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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfi510g | - |  | 8574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi510g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 4.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
 | SIE844DF-T1-E3 | - | | 7044 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE844 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44.5a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 12.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRL640Strl | - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sidr622dp-t1-re3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 64.6a (TA), 56.7a (TC) | 7.5V, 10V | 17.7mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1516 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||
 | Irfbc30pbf | 1.7300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbc30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | Irfpf50pbf | 6.9100 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPF50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpf50pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 900 V | 6.7a (TC) | 10V | 1.6ohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| Irfi840g | - | | 4585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi840g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SI1032R-T1-GE3 | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1032 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
| Irfp044pbf | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP044 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp044pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 57a (TC) | 10V | 28mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
 | IRF9630L | - | | 9275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf9630l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | - | |||
| SiHG24N65E-E3 | 3.8346 | | 8861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg24 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG24N65EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
| IRF630L | - | | 9171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf630l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0.4700 | | 1941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | Mosfet (Óxido de metal) | 220MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | - | 396mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Si4346dy-t1-ge3 | - | | 7665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4346 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 2.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | ||||||
| SiHG22N65E-GE3 | 3.2943 | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SUD40N02-08-E3 | - | | 6021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 40A (TC) | 2.5V, 4.5V | 8.5mohm @ 20a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 35 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2660 pf @ 20 V | - | 8.3W (TA), 71W (TC) | ||||
 | SI7411DN-T1-E3 | - | | 5353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 11.4a, 4.5V | 1V @ 300 µA | 41 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | IRFUC20 | - | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFUC20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfuc20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SI3948DV-T1-E3 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFB16N50K | - | | 2631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb16n50k | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 2210 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | Irfd120 | - | | 6501 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd120 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.3a (TA) | 10V | 270MOHM @ 780MA, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| IRF9540S | - | | 3034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | SIA915DJ-T1-GE3 | - | | 3323 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA915 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4.5a | 87mohm @ 2.9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SQ3418AEEV-T1_BE3 | 0.9300 | | 4843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3418 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ3418AEEV-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12.4 NC @ 10 V | ± 20V | 675 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | |||||
| Sqs484en-t1_be3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sqs484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16.4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1855 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||
 | SI5463EDC-T1-GE3 | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5463 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 4a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | SI2312CDS-T1-BE3 | 0.3900 | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5A (TA), 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31.8mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 8V | 865 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | |||||||
 | SQJ858AEP-T1_GE3 | 1.2300 | | 9644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj858 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2450 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
 | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SCD | SISF04 | Mosfet (Óxido de metal) | 5.2W (TA), 69.4W (TC) | Powerpak® 1212-8SCD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SISF04DN-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 30A (TA), 108A (TC) | 4mohm @ 7a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 60nc @ 10V | 2600pf @ 15V | - | ||||||
| IRFR010PBF-BE3 | 1.4700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR010PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 8.2a (TC) | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) |
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