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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD50P04-23-GE3 | - |  | 1787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 8.2a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 16V | 1880 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 45.4W (TC) | ||||
 | V30443-T1-GE3 | - | | 4810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30443 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | Irfl014tr | - | | 6279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SI2302CDS-T1-E3 | 0.4100 | | 137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 3.6a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 710MW (TA) | |||||
 | SQJQ112er-T1_GE3 | 3.8600 | | 3163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ112er-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 296a (TC) | 10V | 2.53mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 272 NC @ 10 V | ± 20V | 15945 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||
 | SI4814BDY-T1-GE3 | - | | 8091 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4814 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 10a, 10.5a | 18mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irf840aspbf | 2.5500 | | 940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf840aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI4500BDY-T1-GE3 | - | | 7817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4500 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFR014PBF | 1.4600 | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3983 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfp044pbf | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP044 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp044pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 57a (TC) | 10V | 28mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
| Si4890bdy-t1-e3 | - | | 6520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4890 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| Sq4946aey-t1_ge3 | - | | 3595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4946 | Mosfet (Óxido de metal) | 4W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 7A | 40mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 750pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI4408DY-T1-GE3 | 1.6758 | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4408 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 21a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 32 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | ||||||
| IRF820StrrPBF | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI4668DY-T1-E3 | - | | 9051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4668 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 16.2a (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 16V | 1654 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRFZ14 | - | | 6678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ14 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
| SI2366DS-T1-GE3 | 0.4600 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2366 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TC) | 10V | 36mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 335 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | SiHH100N60E-T1-GE3 | 3.6787 | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh100 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 100mohm @ 13.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 100 V | - | 174W (TC) | |||||
| SiHLR120-GE3 | 0.2893 | | 2209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihlr120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHLR120-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI4403DDY-T1-GE3 | 0.4800 | | 1630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4403 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 15.4a (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 99 NC @ 8 V | ± 8V | 3250 pf @ 10 V | - | 5W (TC) | |||||
 | Siha18n60e-e3 | 1.6758 | | 4998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha18 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 202mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
 | SI7850AdP-T1-GE3 | 1.2600 | | 5915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7850 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 10.3a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 35.7W (TC) | |||||
| VQ1006P-2 | - | | 5878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1006 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 90V | 400mA | 4.5ohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | - | 60pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7430DP-T1-GE3 | 2.9200 | | 6268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 26a (TC) | 8V, 10V | 45mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1735 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
 | SIRA90DP-T1-RE3 | 1.5500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira90 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.8mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10180 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | |||||
| IRFR9014TRLPBF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Irf9z34strl | - | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SI2307BDS-T1-GE3 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2307 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 10V | 78mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SI1058X-T1-GE3 | - | | 9387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1058 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 91mohm @ 1.3a, 4.5V | 1.55V @ 250 µA | 5.9 NC @ 5 V | ± 12V | 380 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) |
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