SIC
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Transistores (5716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA20BDP-T1-GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sira20 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 82a (TA), 335A (TC) 0.58mohm @ 20a, 10v 2.1V @ 250 µA 186 NC @ 10 V +16V, -12V 9950 pf @ 15 V - 6.3W (TA), 104W (TC)
SI4340CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4340CDY-T1-E3 1.3500
RFQ
 ECAD 612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4340 Mosfet (Óxido de metal) 3W, 5.4W 14-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 14.1a, 20a 9.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 32NC @ 10V 1300pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4599dy-t1-ge3 0.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4599 Mosfet (Óxido de metal) 3W, 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 6.8a, 5.8a 35.5mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V 640pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
SI3909DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3909DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3909 Mosfet (Óxido de metal) 1.15W 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V - 200mohm @ 1.8a, 4.5V 500mV @ 250 µA (min) 4NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IRFPC50PBF Vishay Siliconix Irfpc50pbf 6.4000
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFPC50 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfpc50pbf EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 180W (TC)
SQJA42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA42EP-T1_GE3 1.4600
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqja42 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 20A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 6a, 10v 2.3V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 27W (TC)
IRFIB5N50LPBF Vishay Siliconix IRFIB5N50LPBF -
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfib5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFIB5N50LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.7a (TC) 10V 800mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 42W (TC)
SQ3461EV-T1_BE3 Vishay Siliconix Sq3461ev-t1_be3 0.8000
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar 1 (ilimitado) 742-sq3461ev-t1_be3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 8a (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 7.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 28 NC @ 4.5 V ± 8V 2000 pf @ 6 V - 5W (TC)
SIHP17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AE-GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 963 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP17 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHP17N80AE-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 30V 1260 pf @ 100 V - 179W (TC)
SI4963BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-GE3 0.7796
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4963 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.9a 32mohm @ 6.5a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 21NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2365EDS-T1-GE3 0.4000
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2365 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 5.9a (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 36 NC @ 8 V ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA04DN-T1-GE3 1.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Sisa04 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 2.15mohm @ 15a, 10v 2.2V @ 250 µA 77 NC @ 10 V +20V, -16V 3595 pf @ 15 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIA907EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - SIA907 - - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
IRLZ14STRRPBF Vishay Siliconix IRLZ14STRPBF 0.9357
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRLZ14 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 10a (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250 µA 8.4 NC @ 5 V ± 10V 400 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFR210TRPBF Vishay Siliconix IRFR210TRPBF 1.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR210 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 2.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFB17N50LPBF Vishay Siliconix IRFB17N50LPBF 6.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB17 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFB17N50LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 320mohm @ 9.9a, 10V 5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 30V 2760 pf @ 25 V - 220W (TC)
SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA975DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Dual SIA975 Mosfet (Óxido de metal) 7.8w Powerpak® SC-70-6 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 12V 4.5a 41mohm @ 4.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 26nc @ 8V 1500pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico
IRF830ASTRL Vishay Siliconix Irf830astrl -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF830 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI4565ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4565ady-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4565 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 6.6a, 5.6a 39mohm @ 5a, 10v 2.2V @ 250 µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
SI4563DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4563dy-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4563 Mosfet (Óxido de metal) 3.25W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 8A 16mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 85nc @ 10V 2390pf @ 20V -
SI4542DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4542DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4542 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V - 25mohm @ 6.9a, 10v 1V @ 250 µA (min) 50nc @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR120TRPBF 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 7.7a (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFSL11N50A Vishay Siliconix IRFSL11N50A -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL11 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFSL11N50A EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 30V 1426 pf @ 25 V - 190W (TC)
SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR608EP-T1-RE3 2.6400
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8DC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SIDR608EP-T1-RE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 45 V 56a (TA), 228a (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 167 NC @ 10 V +20V, -16V 8900 pf @ 20 V - 7.5W (TA), 125W (TC)
IRF9Z34S Vishay Siliconix IRF9Z34S -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF9 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF9Z34S EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFZ40 Vishay Siliconix IRFZ40 -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFZ40 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFZ40 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFBC30LPBF Vishay Siliconix IRFBC30LPBF -
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFBC30 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFBC30LPBF EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 3.6a (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRL3303D1STRR Vishay Siliconix IRL3303D1STRR -
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL3303 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRF737LCS Vishay Siliconix IRF737LCS -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF737 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF737LCS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 300 V 6.1a (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - -
IRF9530L Vishay Siliconix IRF9530L -
RFQ
 ECAD 7169 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF9530 Mosfet (Óxido de metal) I2pak - Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irf9530l EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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