SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
IRLZ14SPBF Vishay Siliconix IRLZ14SPBF 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRLZ14 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 10a (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250 µA 8.4 NC @ 5 V ± 10V 400 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL540 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRL540SPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 28a (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250 µA 64 NC @ 5 V ± 10V 2200 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRF730PBF Vishay Siliconix Irf730pbf 1.5700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF730 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irf730pbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 5.5a (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 74W (TC)
SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4670DY-T1-GE3 0.4998
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4670 Mosfet (Óxido de metal) 2.8w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 25V 8A 23mohm @ 7a, 10v 2.2V @ 250 µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
IRFD214PBF Vishay Siliconix Irfd214pbf 0.5880
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd214 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd214pbf EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 450mA (TA) 10V 2ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 1W (TA)
SIHLR120-GE3 Vishay Siliconix SiHLR120-GE3 0.2893
RFQ
ECAD 2209 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihlr120 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHLR120-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 7.7a (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR014PBF Vishay Siliconix IRFR014PBF 1.4600
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR014 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 7.7a (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI5449DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5449DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5449 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3.1a (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 3.1a, 4.5V 600mV @ 250 µA (min) 11 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.3W (TA)
SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix Sq4946aey-t1_ge3 -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sq4946 Mosfet (Óxido de metal) 4W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7A 40mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 18NC @ 10V 750pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7430 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 26a (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1735 pf @ 50 V - 5.2W (TA), 64W (TC)
IRF840ASPBF Vishay Siliconix Irf840aspbf 2.5500
RFQ
ECAD 940 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF840 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irf840aspbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1018 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF820STRRPBF Vishay Siliconix IRF820StrrPBF 1.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF820 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-E3 0.4100
RFQ
ECAD 137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.6a (TA) 2.5V, 4.5V 57mohm @ 3.6a, 4.5V 850MV @ 250 µA 5.5 NC @ 4.5 V ± 8V - 710MW (TA)
SIHA18N60E-E3 Vishay Siliconix Siha18n60e-e3 1.6758
RFQ
ECAD 4998 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Siha18 Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 1640 pf @ 100 V - 34W (TC)
SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850AdP-T1-GE3 1.2600
RFQ
ECAD 5915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7850 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 10.3a (TA), 12a (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10v 2.8V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 30 V - 3.6W (TA), 35.7W (TC)
SI4408DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4408DY-T1-GE3 1.6758
RFQ
ECAD 8886 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4408 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 14a (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 21a, 10v 1V @ 250 µA (min) 32 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.6w (TA)
SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112er-T1_GE3 3.8600
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Ala de Gaviota Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJQ112er-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 296a (TC) 10V 2.53mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 272 NC @ 10 V ± 20V 15945 pf @ 25 V - 600W (TC)
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4403 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 15.4a (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 99 NC @ 8 V ± 8V 3250 pf @ 10 V - 5W (TC)
SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix Sihd6n65e-ge3 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 820 pf @ 100 V - 78W (TC)
SI2304BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-BE3 0.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) 742-Si2304bds-t1-be3tr EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 15 V - 750MW (TA)
IRFBC40STRLPBF Vishay Siliconix Irfbc40strlpbf 4.4500
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRFR020TR Vishay Siliconix Irfr020tr -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR020 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 14a (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRLZ24L Vishay Siliconix IRLZ24L -
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRLZ24 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLZ24L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 17a (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sish625dn-t1-ge3 0.6300
RFQ
ECAD 8685 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8SH Sish625 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8SH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 17.3a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 126 NC @ 10 V ± 20V 4427 pf @ 15 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRFBG20PBF Vishay Siliconix Irfbg20pbf 1.8300
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Irfbg20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfbg20pbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 1.4a (TC) 10V 11ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 54W (TC)
SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA811AdJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Dual SIA811 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 116mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 13 NC @ 8 V ± 8V 345 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.8W (TA), 6.5W (TC)
SQJQ160E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ160E-T1_GE3 3.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 8 x 8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 602a (TC) 10V 0.85mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250 µA 275 NC @ 10 V ± 20V 16070 pf @ 25 V - 600W (TC)
IRF644NPBF Vishay Siliconix IRF644NPBF -
RFQ
ECAD 6534 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF644 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf644npbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 150W (TC)
SIHG22N60S-E3 Vishay Siliconix SiHG22N60S-E3 -
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SiHG22 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 22a (TC) 190mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V 5620 pf @ 25 V - 250W (TC)
SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA32DP-T1-RE3 1.0600
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sira32 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 60A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 15a, 10v 2.2V @ 250 µA 83 NC @ 10 V +16V, -12V 4450 pf @ 10 V - 65.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock