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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfl31n20d | - |  | 7631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfl31 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl31n20d | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 31a (TA) | - | - | - | - | |||||||
| Irfbe30strr | - | | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI5853CDC-T1-E3 | - | | 3250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5853 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 104mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 8 V | ± 8V | 350 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.5W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | Irf9510pbf | 1.1100 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9510pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | SUM33N20-60P-E3 | - | | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum33 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 33A (TC) | 10V, 15V | 59mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250 µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 pf @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
 | SQJ560EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ560 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30nc @ 10V, 45nc @ 10V | 1650pf @ 25V | - | |||||||
 | SI1303EDL-T1-E3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1303 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 670MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 430mohm @ 1a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira52 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
 | SiHFR320-GE3 | 0.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRL620STRR | - | | 5318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI1031R-T1-E3 | - | | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | SISS26DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 2735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS26 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 30 V | - | 57W (TC) | |||||
 | SiHH21N65EF-T1-GE3 | 6.4800 | | 675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh21 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 19.8a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 2396 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SIA906EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | | 115 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA906 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.5a | 46mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 350pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI8417DB-T2-E1 | - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | Si8417 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 14.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 1a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 57 NC @ 5 V | ± 8V | 2220 pf @ 6 V | - | 2.9W (TA), 6.57W (TC) | ||||
 | SQJQ144AE-T1_GE3 | 2.7700 | | 4319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ144 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 575A (TC) | 10V | 0.9mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 9020 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||
 | SIE854DF-T1-GE3 | - | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE854 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 10V | 14.2mohm @ 13.2a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Sir5108DP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir5108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.4a (TA), 55.9a (TC) | 7.5V, 10V | 7.45mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
| SI5485DU-T1-GE3 | - | | 4626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5485 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 5.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 42 NC @ 8 V | ± 12V | 1100 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
| SI7388DP-T1-E3 | - | | 2658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7388 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 19a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SI2366DS-T1-GE3 | 0.4600 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2366 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TC) | 10V | 36mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 335 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
 | IRFPS29N60LPBF | - | | 4016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS29 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPS29N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 210mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 30V | 6160 pf @ 25 V | - | 480W (TC) | |||
 | SiHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk075 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 71mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2954 pf @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||
 | SI6933DQ-T1-E3 | - | | 9427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | - | 45mohm @ 3.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 30NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI5445BDC-T1-E3 | - | | 7597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5445 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | Si4920dy-t1-ge3 | - | | 3157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4920 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 23NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIS110DN-T1-GE3 | 0.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS110 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 5.2a (TA), 14.2a (TC) | 7.5V, 10V | 54mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
 | Sqa413cejw-t1_ge3 | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® SC-70-6 | Sqa413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®SC-70W-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.5a (TC) | 2.5V, 4.5V | 38mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1350 pf @ 10 V | - | 13.6W (TC) | |||||
| Si4122dy-t1-ge3 | 2.3500 | | 9977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4122 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 27.2a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 25V | 4200 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 6726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4943 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8A | 19.2mohm @ 8.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 1945pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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