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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4864dy-t1-e3 | 2.1227 |  | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4864 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 17a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 25A, 4.5V | 2V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SI6925AdQ-T1-GE3 | - | | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6925 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 2x5 | SIF912 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | Powerpak® (2x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 7.4a | 19mohm @ 7.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8904EDB-T2-E1 | - | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | Si8904 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 6-Micro Foot ™ (2.36x1.56) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4906dy-t1-e3 | - | | 9113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4906 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6.6a | 39mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
 | IRL640PBF | 2.4800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL640PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI3417DV-T1-GE3 | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3417 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 25.2mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | IRFR310PBF | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SIA911AdJ-T1-GE3 | 0.1953 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA911 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 116mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13NC @ 8V | 345pf @ 10V | - | |||||||
| Si4134dy-t1-ge3 | 0.7900 | | 3775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4134 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI5481DU-T1-GE3 | - | | 9846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5481 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 50 NC @ 8 V | ± 8V | 1610 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
 | SI8425DB-T1-E1 | 0.5900 | | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Si8425 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-WLCSP (1.6x1.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 2a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 10V | 2800 pf @ 10 V | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
 | SI2306BDS-T1-GE3 | 0.6000 | | 6988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2306 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.16a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | Sir416dp-t1-ge3 | 1.3500 | | 5177 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3350 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | IRF9610Strr | - | | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
| IRF510S | - | | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF510S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | Siz916dt-t1-ge3 | - | | 6283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz916 | Mosfet (Óxido de metal) | 22.7w, 100W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16a, 40a | 6.4mohm @ 19a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1208pf @ 15V | - | |||||||
 | SI7812DN-T1-E3 | 2.0800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7812 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 840 pf @ 35 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFP9140 | - | | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP9140 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP9140 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal P | 100 V | 21a (TC) | 10V | 200mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
| IRF740LCSTRL | - | | 6703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | - | |||||
| Sir640DP-T1-GE3 | - | | 4553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir640 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 4930 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI1300BDL-T1-E3 | - | | 9245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1300 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 400 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 850mohm @ 250 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.84 NC @ 4.5 V | ± 8V | 35 pf @ 10 V | - | 190MW (TA), 200MW (TC) | ||||
| IRFPF30 | - | | 6955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPF30 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPF30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | SI1013X-T1-E3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1013 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | SIA938DJT-T1-GE3 | 0.6700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA938 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 7.8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sia938djt-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.5a (TA), 4.5A (TC) | 21.5mohm @ 5a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 11.5nc @ 10V | 425pf @ 10V | - | |||||||
 | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | | 9232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja46 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 10V | 3mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| SIS184DN-T1-GE3 | 1.4900 | | 9306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS184 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 17.4a (TA), 65.3a (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 30 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI5933CDC-T1-GE3 | - | | 9300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5933 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.7a | 144mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 6.8nc @ 5V | 276pf @ 10V | - | ||||||
 | SI1022R-T1-GE3 | 0.6300 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Si1022 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 330 mA (TA) | 4.5V, 10V | 1.25ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||
 | Sq3989ev-t1_be3 | 0.6000 | | 8623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3989 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.67W (TC) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sq3989ev-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5A (TC) | 155mohm @ 400 mA, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.1NC @ 10V | - | - |
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