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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sqj433ep-t1_be3 | 1.4100 |  | 3015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj433ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4877 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0.6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 3.8a (TA), 5.4a (TC) | 4.5V, 10V | 82.7mohm @ 3.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 805 pf @ 40 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | IRF9620Strl | - | | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||
 | Sir188LDP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIR188LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 25.8a (TA), 93.6a (TC) | 4.5V, 10V | 3.75mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
 | SI1467DH-T1-GE3 | 0.6700 | | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | SQM110P06-8M9L_GE3 | 3.2300 | | 8396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 7450 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||
| IRF740ATRLPBF | 3.0900 | | 9742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SQS401EN-T1_GE3 | - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SQS401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1875 pf @ 20 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | SIHP22N60S-E3 | - | | 1043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP22 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHP22N60SE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | 2810 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SQD40P10-40L_GE3 | 2.7600 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 8.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 144 NC @ 10 V | ± 20V | 5540 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | |||||
 | Si2343ds-t1 | - | | 6118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2343 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.1a (TA) | 4.5V, 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SI4058DY-T1-GE3 | 0.6200 | | 3764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4058 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 10.3a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 50 V | - | 5.6W (TC) | ||||||
 | Sir640Adp-T1-GE3 | 1.9200 | | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir640 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 41.6a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4240 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI8851EDB-T2-E1 | 0.6200 | | 7006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 30-xfbga | Si8851 | Mosfet (Óxido de metal) | Power Micro Foot® (2.4x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 7.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 8mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 180 NC @ 8 V | ± 8V | 6900 pf @ 10 V | - | 660MW (TA) | ||||
| IRF9620STRR | - | | 3324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
 | SI1069X-T1-GE3 | - | | 1073 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1069 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 940MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 184mohm @ 940 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6.86 NC @ 5 V | ± 12V | 308 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | | 8199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4435EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 2170 pf @ 15 V | - | 6.8W (TC) | |||||
 | Sihfbe30s-ge3 | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Sihfbe30s-ge3dkr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | Sihu3n50d-ge3 | 0.3532 | | 7013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
| Si7113adn-t1-ge3 | 0.6600 | | 4156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7113 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 10.8a (TC) | 4.5V, 10V | 132mohm @ 3.8a, 10V | 2.6V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 515 pf @ 50 V | - | 27.8W (TC) | |||||
 | SI5948DU-T1-GE3 | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet dual | Si5948 | Mosfet (Óxido de metal) | 7W | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6a (TC) | 82mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 2.6nc @ 4.5V | 165pf @ 20V | - | |||||||
| SI1433DH-T1-E3 | - | | 3152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1433 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 100 µA | 5 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
| IRF710SPBF | 1.6000 | | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF710SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | SI3473DV-T1-GE3 | - | | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
| SI3909DV-T1-GE3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3909 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | - | 200mohm @ 1.8a, 4.5V | 500mV @ 250 µA (min) | 4NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 0.5500 | | 785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA907 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5A (TC) | 57mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRL620Strl | - | | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IRL520L | - | | 7430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL520L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 5.5a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
| SI2335DS-T1-E3 | - | | 8189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2335 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 51mohm @ 4a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1225 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||
| 2N7002-T1-GE3 | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 236 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) |
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