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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLU3714TR | - |  | 9734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU3714 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | |||||
 | SI4340DY-T1-E3 | - | | 9910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4340 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.14W, 1.43W | 14-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7.3a, 9.9a | 12mohm @ 9.6a, 10V | 2V @ 250 µA | 15NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | VQ1006P-E3 | - | | 2870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1006 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 90V | 400mA | 4.5ohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | - | 60pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6981DQ-T1-E3 | - | | 9611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6981 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.1a | 31mohm @ 4.8a, 4.5V | 900mv @ 300 µA | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfl214tr | - | | 8398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl214 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 790MA (TC) | 10V | 2ohm @ 470ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SQ1912AEEH-T1_GE3 | 0.4900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 800 mA (TC) | 280mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.25nc @ 4.5V | 27pf @ 10V | - | ||||||||
 | Irfp344pbf | - | | 8743 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP344 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp344pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 450 V | 9.5A (TC) | 10V | 630mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SI7114DN-T1-GE3 | 0.8005 | | 8612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7114 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11.7a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRL520Strl | - | | 1494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 5.5a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| SIE726DF-T1-E3 | - | | 7122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE726 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI6924AEDQ-T1-E3 | - | | 2812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6924 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 28 V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA411DJ-T1-GE3 | - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 38 NC @ 8 V | ± 8V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | Si4947ady-t1-ge3 | - | | 6959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4947 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.2w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3A | 80mohm @ 3.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 8NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7450DP-T1-GE3 | 2.9000 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7450 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 3.2a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | Sir5211dp-t1-ge3 | 0.9300 | | 8048 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 31.2a (TA), 105A (TC) | 2.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 158 NC @ 10 V | ± 12V | 6700 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | ||||||
| SI7726DN-T1-GE3 | 0.3822 | | 8983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7726 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1765 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIZF5300DT-T1-GE3 | 2.0700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-PowerPair ™ | Sizf5300 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.5W (TA), 56.8W (TC) | Powerpair® 3x3fs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 30V | 35A (TA), 125A (TC) | 2.43mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1480pf @ 15V | - | |||||||
 | SQJA88EP-T1_BE3 | 0.9600 | | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA88EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||
| SI1467DH-T1-BE3 | 0.6700 | | 9484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1467DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3A (TA), 2.7A (TC) | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | |||||
| SI7407DN-T1-E3 | - | | 8034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 9.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 12mohm @ 15.6a, 4.5V | 1V @ 400 µA | 59 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SIHB15N80AE-GE3 | 2.7300 | | 990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB15 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHB15N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1093 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||
 | SI3127DV-T1-GE3 | 0.4800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3127 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.5a (TA), 13a (TC) | 4.5V, 10V | 89mohm @ 1.5a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 833 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | SIS472Adn-T1-GE3 | 0.1714 | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS472 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1515 pf @ 15 V | - | 28W (TC) | ||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | - | | 6438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4158 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 36.5a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 16V | 5710 pf @ 10 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SI5513DC-T1-GE3 | - | | 7782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5513 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 3.1a, 2.1a | 75mohm @ 3.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sum50n06-16l-e3 | - | | 8922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Suma | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 16mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | 1325 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 93W (TC) | ||||||
 | IRF710PBF-BE3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF710PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
 | IRFPS38N60LPBF | - | | 1847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS38 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPS38N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | ||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7956 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 150V | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFR320TRPBF | 0.8122 | | 3149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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