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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sum50n06-16l-e3 | - |  | 8922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Suma | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 16mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | 1325 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 93W (TC) | ||||||
 | SIS472Adn-T1-GE3 | 0.1714 | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS472 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1515 pf @ 15 V | - | 28W (TC) | ||||||
| SUM75N06-09L-E3 | - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum75 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 9.3mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | 2400 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SQ2351ES-T1_BE3 | 0.6000 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ2351ES-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
 | SI5442DU-T1-GE3 | 0.6300 | | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5442 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 10mohm @ 8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1700 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SQP100P06-9M3L_GE3 | - | | 5131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sqp100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 12010 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | ||||||
 | IRFP244PBF | 5.3100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP244 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp244pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7956 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 150V | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRFPS38N60LPBF | - | | 1847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS38 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPS38N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | ||||
 | Si4388dy-t1-e3 | - | | 6003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4388 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 10.7a, 11.3a | 16mohm @ 8a, 10v | 3V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 946pf @ 15V | - | ||||||
 | Irfz14strlpbf | 0.9500 | | 9473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRF710PBF-BE3 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF710PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
 | IRFR014 | - | | 6674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SIE802DF-T1-GE3 | 1.8574 | | 6635 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE802 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 23.6a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRFPS30N60KPBF | - | | 7510 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS30 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPS30N60KPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 190mohm @ 18a, 10v | 5V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 30V | 5870 pf @ 25 V | - | 450W (TC) | |||
| IRLR024PBF | 1.6800 | | 6921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
 | Siha15n50e-e3 | 2.2000 | | 7467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 14.5A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 30V | 1162 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
 | IRLZ14L | - | | 1494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRLZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ14L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
| SI4390DY-T1-E3 | - | | 2263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4390 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 12.5a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
 | SQJ886EP-T1_BE3 | 1.5700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJ886EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2922 pf @ 20 V | - | 55W (TC) | ||||||
 | SIDR140DP-T1-RE3 | 2.6900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 79A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.67mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | +20V, -16V | 8150 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SUD50N04-16P-E3 | - | | 6664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 9.8a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 1655 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 35.7W (TC) | ||||
 | SiHF22N60E-GE3 | 4.0300 | | 981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
| SI4178DY-T1-GE3 | 0.6400 | | 1733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4178 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 405 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SUP90142E-GE3 | 3.2700 | | 5809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90142 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 15.2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 31200 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI1036X-T1-GE3 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1036 | Mosfet (Óxido de metal) | 220MW | SC-89-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 610 Ma (TA) | 540mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | 36pf @ 15V | - | |||||||
 | SI1967DH-T1-GE3 | 0.4100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1967 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.3a | 490mohm @ 910 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4NC @ 8V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI1467DH-T1-E3 | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
| IRL540PBF | 2.5100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | IRF9610Strl | - | | 5762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) |
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