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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
IRFPS43N50KPBF	-	RFQ	2505	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 274AA	IRFPS43	Mosfet (Óxido de metal)		Super-247 ™ (TO74AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRFPS43N50KPBF	EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	500 V	47a (TC)	10V	90mohm @ 28a, 10v	5V @ 250 µA	350 NC @ 10 V	± 30V	8310 pf @ 25 V	-	540W (TC)
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SI7104	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	12 V	35A (TC)	2.5V, 4.5V	3.7mohm @ 26.1a, 4.5V	1.8V @ 250 µA	70 NC @ 10 V	± 12V	2800 pf @ 6 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI5908DC-T1-GE3	1.3900	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5908	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	4.4a		40mohm @ 4.4a, 4.5V	1V @ 250 µA	7.5nc @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI6465DQ-T1-E3	-	RFQ	1495	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6465	Mosfet (Óxido de metal)		8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	8 V	8.8a (TA)	1.8V, 4.5V	12mohm @ 8.8a, 4.5V	450MV @ 250 µA (min)	80 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.5W (TA)
SI5401DC-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5401	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	5.2a (TA)	1.8V, 4.5V	32mohm @ 5.2a, 4.5V	1V @ 250 µA	25 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.3W (TA)
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	RFQ	558	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4850	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	6a (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 6a, 10v	3V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V		-	1.7w (TA)
SI1414DH-T1-GE3	-	RFQ	8721	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1414	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	4A (TC)	1.8V, 4.5V	46mohm @ 4a, 4.5V	1V @ 250 µA	15 NC @ 8 V	± 8V	560 pf @ 15 V	-	2.8W (TC)
SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	Powerpak® 1212-8SLW		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SLW	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)					3.000		N-canal	80 V	82a (TC)	4.5V, 10V	7.1mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	3689 pf @ 25 V	-	119W (TC)
Sish107dn-t1-ge3	0.7700	RFQ	8555	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8SH	Sish107	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SH	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	12.6a (TA), 34.4a (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 35a, 10v	2.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 15 V	-	3.57W (TA), 26.5W (TC)
SI3456BDV-T1-GE3	-	RFQ	2013	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3456	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	4.5a (TA)	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10v	3V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V		-	1.1W (TA)
SQSA80ENW-T1_GE3	1.1100	RFQ	516	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sqsa80	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	18a (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1358 pf @ 40 V	-	62.5W (TC)
Si4946bey-t1-e3	1.4800	RFQ	27	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4946	Mosfet (Óxido de metal)	3.7w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		60V	6.5a		41mohm @ 5.3a, 10v	3V @ 250 µA	25nc @ 10V		840pf @ 30V	Puerta de Nivel Lógico
SQJ465EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	784	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj465	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	8a (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1140 pf @ 30 V	-	45W (TC)
SI7439DP-T1-E3	3.9800	RFQ	2592	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7439	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	150 V	3a (TA)	6V, 10V	90mohm @ 5.2a, 10v	4V @ 250 µA	135 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SI3456BDV-T1-E3	-	RFQ	1200	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3456	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	4.5a (TA)	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10v	3V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V		-	1.1W (TA)
SQD97N06-6M3L_GE3	1.6600	RFQ	8375	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sqd97	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	60 V	97a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 25A, 10V	2.5V @ 250 µA	125 NC @ 10 V	± 20V	6060 pf @ 25 V	-	136W (TC)
SI1442DH-T1-GE3	0.4500	RFQ	7631	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1442	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	12 V	4A (TA)	1.8V, 4.5V	20mohm @ 6a, 4.5V	1V @ 250 µA	33 NC @ 8 V	± 8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W (TA), 2.8W (TC)
Si233333dds-t1-be3	0.4200	RFQ	2908	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar		1 (ilimitado)		742-Si233333dds-t1-be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	5A (TA), 6A (TC)	1.5V, 4.5V	28mohm @ 5a, 4.5V	1V @ 250 µA	35 NC @ 8 V	± 8V	1275 pf @ 6 V	-	1.2W (TA), 1.7W (TC)
SISS588DN-T1-GE3	1.3600	RFQ	6289	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8s		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8s	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SISS588DN-T1-GE3TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	80 V	16.9a (TA), 58.1a (TC)	7.5V, 10V	8mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	28.5 NC @ 10 V	± 20V	1380 pf @ 40 V	-	4.8W (TA), 56.8W (TC)
SIDR220DP-T1-RE3	2.7700	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	descascar		1 (ilimitado)		742-sidr220dp-t1-re3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	25 V	87.7a (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 20a, 10v	2.1V @ 250 µA	200 NC @ 10 V	+16V, -12V	10850 pf @ 10 V	-	6.25W (TA), 125W (TC)
Si4567dy-t1-ge3	-	RFQ	8437	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4567	Mosfet (Óxido de metal)	2.75W, 2.95W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		40V	5a, 4.4a		60mohm @ 4.1a, 10V	2.2V @ 250 µA	12NC @ 10V		355pf @ 20V	-
SQJQ184er-T1_GE3	3.6700	RFQ	451	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowersMD, Ala de Gaviota		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	80 V	430a (TC)	10V	1.4mohm @ 20a, 10v	3.5V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	16009 pf @ 25 V	-	600W (TC)
SI3460BDV-T1-BE3	0.9100	RFQ	48	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-SI3460BDV-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	6.7a (TA), 8a (TC)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 5.1a, 4.5V	1V @ 250 µA	24 NC @ 8 V	± 8V	860 pf @ 10 V	-	2W (TA), 3.5W (TC)
Sir826dp-T1-RE3	0.9999	RFQ	3488	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir826	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	60A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10v	2.8V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 40 V	-	104W (TC)
SI7172DP-T1-GE3	2.8200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7172	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	25A (TC)	6V, 10V	70mohm @ 5.9a, 10v	4V @ 250 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	2250 pf @ 100 V	-	5.4W (TA), 96W (TC)
Siha18n60e-ge3	3.1700	RFQ	2565	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar		1 (ilimitado)		742-Siha18n60e-ge3tr	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	18a (TC)	10V	202mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	92 NC @ 10 V	± 30V	1640 pf @ 100 V	-	34W (TC)
Irfi624g	-	RFQ	8475	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi624	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfi624g	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	250 V	3.4a (TC)	10V	1.1ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	30W (TC)
SQJB48EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Sqjb48	Mosfet (Óxido de metal)	48W (TC)	Powerpak® SO-8 Dual	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		40V	30A (TC)		5.2mohm @ 8a, 10v	3.3V @ 250 µA	40nc @ 10V		2350pf @ 25V	-
SI2318CDS-T1-GE3	0.4600	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Si2318	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	5.6a (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 4.3a, 10v	2.5V @ 250 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 20 V	-	1.25W (TA), 2.1W (TC)
SiJ484DP-T1-GE3	-	RFQ	7114	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SiJ484	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	35A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 15 V	-	5W (TA), 27.7W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²