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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfibe20gpbf | 2.9500 |  | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibe20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 1.4a (TC) | 10V | 6.5ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||
 | Irfd220 | - | | 3137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd220 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 800 mA (TA) | 10V | 800mohm @ 480mA, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
 | IRF540Strr | - | | 8233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | V30432-T1-GE3 | - | | 3590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30432 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | Siz256dt-t1-ge3 | 1.3100 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz256 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIZ256DT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 70V | 11.5a (TA), 31.8a (TC) | 17.6mohm @ 7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 1060pf @ 35V | - | |||||||
 | Irfp450pbf | 3.5400 | | 757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP450 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp450pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
 | IRFR9120TRLPBF | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Sua70090e-e3 | - | | 4789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Sua70090 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 42.8a (TC) | 7.5V, 10V | 9.3mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 50 V | - | 35.7W (TC) | |||||
 | SI4401BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 9135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 8.7a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRF510StrrPBF | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI7872DP-T1-GE3 | - | | 2380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7872 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRF9620S | - | | 3893 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9620S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||
| 2n5116jan02 | - | | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
 | SI1031R-T1-GE3 | 0.5200 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | SI3529DV-T1-E3 | - | | 2037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3529 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 40V | 2.5a, 1.95a | 125mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 7NC @ 10V | 205pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7119DN-T1-E3 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7119 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 1.05ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 666 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Sir680Adp-T1-RE3 | 2.3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir680 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30.7a (TA), 125A (TC) | 7.5V, 10V | 2.88mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 4415 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SI5441DC-T1-E3 | - | | 4826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5441 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
| 2N4860JTX02 | - | | 7381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4860 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | SI2311DS-T1-GE3 | - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2311 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 3.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 8V | 970 pf @ 4 V | - | 710MW (TA) | ||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 120MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1562 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
| SIRA52DP-T1-RE3 | 0.5600 | | 2336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira52 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | ||||||
 | IRF820LPBF | 0.8983 | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF820LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| IRFR9220 | - | | 7120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| 2N5115JTVL02 | - | | 4741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
| Irfd024pbf | 1.7000 | | 361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.5a (TA) | 10V | 100mohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI1470DH-T1-E3 | - | | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1470 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 66mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 7.5 NC @ 5 V | ± 12V | 510 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | ||||
| IRFR9024TR | - | | 2242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | Sum25p10-138-e3 | - | | 5340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum25 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 16.7a (TC) | 6V, 10V | 13.8mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2110 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 88.2W (TC) | |||||
 | Sud50n03-12p-E3 | - | | 6246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 17.5a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 6.5W (TA), 46.8W (TC) |
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