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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1967DH-T1-GE3 | 0.4100 |  | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1967 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.3a | 490mohm @ 910 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4NC @ 8V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SUM75N06-09L-E3 | - | | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum75 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 9.3mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | 2400 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SI4090DY-T1-GE3 | 1.5000 | | 4820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 19.7a (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 50 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SI3853DV-T1-GE3 | - | | 1430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3853 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.8a, 4.5V | 500mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | |||||
 | IRFPS38N60L | - | | 1105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS38 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | ||||
| Si4532ady-t1-ge3 | - | | 8584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4532 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.13W, 1.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3a | 53mohm @ 4.9a, 10v | 1V @ 250 µA | 16NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SQJQ906E-T1_GE3 | 2.6800 | | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | SQJQ906 | Mosfet (Óxido de metal) | 50W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 95A (TC) | 3.3mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 42NC @ 10V | 3600pf @ 20V | - | |||||||
 | IRF640StrpBF | 3.0900 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | IRFPS37N50A | - | | 1868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS37 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPS37N50A | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 36A (TC) | 10V | 130mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5579 pf @ 25 V | - | 446W (TC) | |||
| Si4933dy-t1-e3 | - | | 3964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a, 4.5V | 1V @ 500 µA | 70NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI2343CDS-T1-GE3 | 0.6200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2343 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.9a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | SiHK045N60EF-T1GE3 | 10.4700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 52mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 30V | 4685 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||
 | IRL530 | - | | 9746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL530 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||
 | IRLR8103TRR | - | | 3471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR8103 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 89A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | - | |||||
 | SQS423EN-T1_GE3 | - | | 9803 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SQS423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1975 pf @ 15 V | - | 62.5W (TC) | ||||||
| IRF840Strr | - | | 3701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| Irfbc40astrr | - | | 7947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Si4684dy-t1-ge3 | - | | 8482 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4684 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 16a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 12V | 2080 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | ||||
| SI3443BDV-T1-E3 | 0.6600 | | 303 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | Sir840dp-t1-ge3 | - | | 4545 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir840 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | - | - | - | - | - | ||||||||
| SI4487DY-T1-GE3 | - | | 6315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4487 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 11.6a (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 25V | 1075 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | Sum70042m-ge3 | 5.8400 | | 8062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Sum70042 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 800 | N-canal | 100 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 3.83mohm @ 20a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 6750 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||
 | SIDR500EP-T1-RE3 | 3.4400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 94a (TA), 421a (TC) | 4.5V, 10V | 0.47mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | +16V, -12V | 8960 pf @ 15 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
| SI1403BDL-T1-BE3 | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1403 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.4a (TA) | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||||
| SIRA22DP-T1-RE3 | 0.5977 | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira22 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.76mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | +16V, -12V | 7570 pf @ 10 V | - | 83.3W (TC) | |||||
| SQ3469EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3469 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 6.7a, 10v | 2.5V @ 25 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1020 pf @ 10 V | - | 5W (TC) | |||||
 | SI7909DN-T1-E3 | - | | 1916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7909 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4.5V | 1V @ 700 µA | 24nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SiHH150N60E-T1-GE3 | 5.3800 | | 6149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh150 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||
 | Siha6n80e-ge3 | 2.5100 | | 6318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha6 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
 | SQV120N06-4M7L_GE3 | - | | 3592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Sqv120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 25 V | - | 250W (TC) |
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