SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SIHF23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3 1.7972
RFQ
ECAD 9785 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SiHF23 Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 23a (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 30V 2418 pf @ 100 V - 35W (TC)
SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LEP-T1-RE3 3.4000
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8DC descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 48.7a (TA), 218a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 135 NC @ 10 V ± 20V 5900 pf @ 30 V - 7.5W (TA), 150W (TC)
SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix Sq2364ees-t1_be3 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TC) 1.5V, 4.5V 240mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.5 NC @ 4.5 V ± 8V 330 pf @ 25 V - 3W (TC)
IRFBF20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBF20PBF-BE3 2.4100
RFQ
ECAD 975 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Irfbf20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-IRFBF20PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 1.7a (TC) 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 54W (TC)
IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9014PBF-BE3 0.6468
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9014 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 742-IRFR9014PBF-BE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 5.1a (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFP344PBF Vishay Siliconix Irfp344pbf -
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP344 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfp344pbf EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 450 V 9.5A (TC) 10V 630mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 150W (TC)
SI7114DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7114DN-T1-GE3 0.8005
RFQ
ECAD 8612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7114 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11.7a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18.3a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.5W (TA)
IRL520STRL Vishay Siliconix IRL520Strl -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL520 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 9.2a (TC) 4V, 5V 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIE726DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE726DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7122 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-polarpak® (l) SIE726 Mosfet (Óxido de metal) 10-polarpak® (l) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 15 V - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2812 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6924 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 28 V 4.1a 33mohm @ 4.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 10NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4947ady-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4947 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 3A 80mohm @ 3.9a, 10v 1V @ 250 µA (min) 8NC @ 5V - Puerta de Nivel Lógico
SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-GE3 2.9000
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7450 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 3.2a (TA) 6V, 10V 80mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir5211dp-t1-ge3 0.9300
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 31.2a (TA), 105A (TC) 2.5V, 10V 3.2mohm @ 10a, 10v 1.5V @ 250 µA 158 NC @ 10 V ± 12V 6700 pf @ 10 V - 5W (TA), 56.8W (TC)
SI7726DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3 0.3822
RFQ
ECAD 8983 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7726 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10v 2.6V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1765 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF5300DT-T1-GE3 2.0700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-PowerPair ™ Sizf5300 Mosfet (Óxido de metal) 4.5W (TA), 56.8W (TC) Powerpair® 3x3fs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 30V 35A (TA), 125A (TC) 2.43mohm @ 10a, 10v 2V @ 250 µA 32NC @ 10V 1480pf @ 15V -
SI7407DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7407DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7407 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 9.9a (TA) 1.8V, 4.5V 12mohm @ 15.6a, 4.5V 1V @ 400 µA 59 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.5W (TA)
SIHB15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB15N80AE-GE3 2.7300
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB15 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHB15N80AE-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 13a (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1093 pf @ 100 V - 156W (TC)
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3127 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 3.5a (TA), 13a (TC) 4.5V, 10V 89mohm @ 1.5a, 4.5V 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 833 pf @ 20 V - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIS472ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472Adn-T1-GE3 0.1714
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SIS472 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 24a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1515 pf @ 15 V - 28W (TC)
SI4158DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6438 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4158 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 36.5a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10v 2.1V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 16V 5710 pf @ 10 V - 3W (TA), 6W (TC)
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7782 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5513 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 3.1a, 2.1a 75mohm @ 3.1a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 6NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SUM50N06-16L-E3 Vishay Siliconix Sum50n06-16l-e3 -
RFQ
ECAD 8922 0.00000000 Vishay Siliconix - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Suma Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 50A (TC) 16mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 40 NC @ 10 V 1325 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 93W (TC)
IRF710PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF710PBF-BE3 1.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF710 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-IRF710PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 2a (TC) 3.6ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 36W (TC)
IRFPS38N60LPBF Vishay Siliconix IRFPS38N60LPBF -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA IRFPS38 Mosfet (Óxido de metal) Super-247 ™ (TO74AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFPS38N60LPBF EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 38a (TC) 10V 150mohm @ 23a, 10v 5V @ 250 µA 320 NC @ 10 V ± 30V 7990 pf @ 25 V - 540W (TC)
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7956DP-T1-E3 3.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Si7956 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 150V 2.6a 105mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250 µA 26nc @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
IRFZ14STRLPBF Vishay Siliconix Irfz14strlpbf 0.9500
RFQ
ECAD 9473 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFZ14 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 10a (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRFD9123PBF Vishay Siliconix Irfd9123pbf -
RFQ
ECAD 3308 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) IRFD9123 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 1a (TA) 600mohm @ 600 mA, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V 390 pf @ 25 V - -
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4388dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 6003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4388 Mosfet (Óxido de metal) 3.3W, 3.5W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canales N (Medio Puente) 30V 10.7a, 11.3a 16mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 946pf @ 15V -
SIHF22N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHF22N60E-GE3 4.0300
RFQ
ECAD 981 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SiHF22 Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 35W (TC)
IRFR014 Vishay Siliconix IRFR014 -
RFQ
ECAD 6674 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR014 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFR014 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 7.7a (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock