- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir472Adp-T1-GE3 | 0.6400 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir472 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1040 pf @ 15 V | - | 3.3W (TA), 14.7W (TC) | |||||
| SI7452DP-T1-GE3 | - | | 4778 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7452 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 11.5a (TA) | 10V | 8.3mohm @ 19.3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SQJ401EP-T2_GE3 | 0.9356 | | 3922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ401EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 32A (TC) | 2.5V, 4.5V | 6mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 164 NC @ 4.5 V | ± 8V | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) | ||||
 | SUD23N06-31-BE3 | 0.9700 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SUD23N06-31-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 9.1a (TA), 21.4a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 5.7W (TA), 31.25W (TC) | |||||
 | Si4567dy-t1-ge3 | - | | 8437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4567 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.75W, 2.95W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 5a, 4.4a | 60mohm @ 4.1a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||||||
 | SiHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1811 pf @ 100 V | - | 132W (TC) | ||||||
 | Si2324ds-t1-be3 | 0.6500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2324 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2324ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.6a (TA), 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
| Si2304dds-t1-be3 | 0.4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2304 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2304dds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.3a (TA), 3.6a (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 6.7 NC @ 10 V | ± 20V | 235 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
| SI2319CDS-T1-BE3 | 0.5700 | | 216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 3.1a (TA), 4.4a (TC) | 4.5V, 10V | 77mohm @ 3.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 595 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||
 | SQJ402EP-T1_BE3 | 1.5700 | | 1993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj402ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2286 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||
| Sqja84ep-t1_be3 | 1.2100 | | 9608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA84EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||
 | SQ3426AEEV-T1_BE3 | 0.7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||||
 | SQS460CENW-T1_GE3 | 0.8000 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Sqs460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQS460CENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||
 | SI1411DH-T1-GE3 | 0.9000 | | 9266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1411 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 420 Ma (TA) | 10V | 2.6ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 100 µA | 6.3 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
| IRFR1N60APBF-BE3 | 1.5500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR1N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||
 | Irfd9024 | - | | 5952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd9024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.6a (TA) | 10V | 280MOHM @ 960MA, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |||
| Sir164DP-T1-GE3 | 1.4600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir164 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 123 NC @ 10 V | ± 20V | 3950 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SiHFR024-GE3 | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
 | SIHD14N60E-GE3 | 2.3000 | | 915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD14 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
| SI7455DP-T1-E3 | - | | 9000 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7455 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 28a (TC) | 6V, 10V | 25mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| SQJA88EP-T1_BE3 | 0.9600 | | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA88EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||
 | SQD50P04-13L_T4GE3 | 1.4600 | | 78 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3590 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||||
 | IRF820APBF-BE3 | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF820APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||
| SQJ460AEP-T1_BE3 | 1.5100 | | 3037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJ460AEP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 10.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 106 NC @ 10 V | ± 20V | 2654 pf @ 30 V | - | 68W (TC) | ||||||
| IRF540PBF-BE3 | 2.1500 | | 199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | 1 (ilimitado) | 742-IRF540PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| SI4814BDY-T1-E3 | - | | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4814 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 10a, 10.5a | 18mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1011X-T1-GE3 | - | | 8257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1011 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 480MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 640MOHM @ 400MA, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 4 NC @ 4.5 V | ± 5V | 62 pf @ 6 V | - | 190MW (TA) | ||||
| Si233333dds-t1-ge3 | 0.4200 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2333 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 35 NC @ 8 V | ± 8V | 1275 pf @ 6 V | - | 1.2W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | Sir572DP-T1-RE3 | 2.0200 | | 6390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR572DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 14.8a (TA), 59.7a (TC) | 7.5V, 10V | 10.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2733 pf @ 75 V | - | 5.7W (TA), 92.5W (TC) | |||||
| IRFR014TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)