SIC
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Transistores (5716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix Sihu6n80e-ge3 2.3400
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab Sihu6 Mosfet (Óxido de metal) Ipak (un 251) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 5.4a (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 30V 827 pf @ 100 V - 78W (TC)
SQJ409EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T1_BE3 1.4900
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-sqj409ep-t1_be3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 25 V - 68W (TC)
SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix Sqa470cejw-t1_ge3 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 2.25a (TC) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5V 1.3V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 12V 440 pf @ 20 V - 13.6W (TC)
SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N65EF-GE3 5.0800
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB21 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 30V 2322 pf @ 100 V - 208W (TC)
V30368-T1-E3 Vishay Siliconix V30368-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix * Tape & Reel (TR) Obsoleto V30368 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2.500
SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7104DN-T1-E3 0.9923
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SI7104 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 V 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.7mohm @ 26.1a, 4.5V 1.8V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 12V 2800 pf @ 6 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI1028X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Si1028 Mosfet (Óxido de metal) 220MW SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V - 650mohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 2NC @ 10V 16pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS71 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 23a (TC) 4.5V, 10V 59mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1050 pf @ 50 V - 57W (TC)
SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Si6968bedq-t1-e3 1.3900
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6968 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 5.2a 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1.6V @ 250 µA 18NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IRF634STRRPBF Vishay Siliconix IRF634Strpbf 2.1700
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF634 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 770 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI7148DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7148DP-T1-E3 2.4500
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7148 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 28a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 35 V - 5.4W (TA), 96W (TC)
IRFD420PBF Vishay Siliconix Irfd420pbf 1.8600
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd420 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd420pbf EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 370MA (TA) 10V 3ohm @ 220 mm, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 1W (TA)
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-75-6 SIB419 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-75-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 9A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 5.2a, 4.5V 1V @ 250 µA 11.82 NC @ 5 V ± 8V 562 pf @ 6 V - 2.45W (TA), 13.1W (TC)
SQJ456EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T2_GE3 1.1340
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqj456 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJ456EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 32A (TC) 6V, 10V 26mohm @ 9.3a, 10v 3.5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 3342 pf @ 25 V - 83W (TC)
SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir642DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir642 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10v 2.3V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 4155 pf @ 20 V - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix Sq2364ees-t1_ge3 0.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2364 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TC) 1.5V, 4.5V 240mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.5 NC @ 4.5 V ± 8V 330 pf @ 25 V - 3W (TC)
IRF9530PBF Vishay Siliconix Irf9530pbf 1.8100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF9530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irf9530pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 88W (TC)
SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SiHH150N60E-T1-GE3 5.3800
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Sihh150 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 19a (TC) 10V 155mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1514 pf @ 100 V - 156W (TC)
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 SQ3410 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8a (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1005 pf @ 15 V - 5W (TC)
IRFR420TRLPBF Vishay Siliconix IRFR420TRLPBF 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR420 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 2.4a (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI730GPBF Vishay Siliconix IRFI730GPBF 2.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi730 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfi730gpbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 3.7a (TC) 10V 1ohm @ 2.1a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3586 Mosfet (Óxido de metal) 830MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 2.9a, 2.1a 60mohm @ 3.4a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 6NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHD9N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHD9N60E-GE3 1.9500
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd9 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 368mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 778 pf @ 100 V - 78W (TC)
SI3473DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3473 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 5.9a (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 7.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.1W (TA)
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-75-6 SIB457 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-75-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 9A (TC) 4.5V 35mohm @ 4.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 8 V ± 8V - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI1903DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1903DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1903 Mosfet (Óxido de metal) 270MW SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 410 Ma 995mohm @ 410MA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.8nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI4688DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4688dy-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4688 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.9a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
SUD40N04-10A-E3 Vishay Siliconix SUD40N04-10A-E3 -
RFQ
 ECAD 4825 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sud40 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 40A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 40a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 71W (TC)
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SiHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar 1 (ilimitado) 742-SiHG026N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 95A (TC) 10V 26mohm @ 38a, 10v 5V @ 250 µA 227 NC @ 10 V ± 30V 7926 pf @ 100 V - 521W (TC)
SQM200N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix SQM200N04-1M7L_GE3 3.3700
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Sqm200 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 200a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 291 NC @ 10 V ± 20V 11168 pf @ 20 V - 375W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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