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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SIHP22N60E-E3	2.1315	RFQ	5738	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP22	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		SiHP22N60EE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	21a (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	86 NC @ 10 V	± 30V	1920 pf @ 100 V	-	227W (TC)
SI1469DH-T1-GE3	0.6300	RFQ	6496	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1469	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	2.7a (TC)	2.5V, 10V	80mohm @ 2a, 10v	1.5V @ 250 µA	8.5 NC @ 4.5 V	± 12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W (TA), 2.78W (TC)
Irf830strl	-	RFQ	8468	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF830	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	500 V	4.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	610 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 74W (TC)
IRF830BPBF	1.1200	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF830	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	5.3a (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 30V	325 pf @ 100 V	-	104W (TC)
IRLZ14PBF	1.1100	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRLZ14	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRLZ14PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	10a (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250 µA	8.4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SI8904EDB-T2-E1	-	RFQ	7351	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Micro Foot®CSP	Si8904	Mosfet (Óxido de metal)	1W	6-Micro Foot ™ (2.36x1.56)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		30V	3.8a		-	1.6V @ 250 µA	-		-	Puerta de Nivel Lógico
TN2404K-T1-GE3	0.9100	RFQ	6237	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TN2404	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	240 V	200MA (TA)	2.5V, 10V	4ohm @ 300mA, 10V	2V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V		-	360MW (TA)
TP0202K-T1-GE3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	30 V	385MA (TA)	4.5V, 10V	1.4ohm @ 500 mA, 10V	3V @ 250 µA	1 NC @ 10 V	± 20V	31 pf @ 15 V	-	350MW (TA)
Irld120pbf	1.7500	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	Irld120	Mosfet (Óxido de metal)		4-hvmdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irld120pbf	EAR99	8541.29.0095	100		N-canal	100 V	1.3a (TA)	4V, 5V	270MOHM @ 780MA, 5V	2V @ 250 µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	1.3W (TA)
Irfr224trl	-	RFQ	2585	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR224	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	250 V	3.8a (TC)	10V	1.1ohm @ 2.3a, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIHF28N60EF-GE3	3.3075	RFQ	4560	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SiHF28	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	28a (TC)	10V	123mohm @ 14a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 30V	2714 pf @ 100 V	-	39W (TC)
SI1972DH-T1-E3	-	RFQ	3650	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1972	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W	SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	1.3a		225mohm @ 1.3a, 10v	2.8V @ 250 µA	2.8nc @ 10V		75pf @ 15V	-
IRF710	-	RFQ	9674	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF710	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF710	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	400 V	2a (TC)	10V	3.6ohm @ 1.2a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	36W (TC)
IRF540Strr	-	RFQ	8233	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF540	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	100 V	28a (TC)	10V	77mohm @ 17a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
IRFI9620GPBF	2.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi9620	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfi9620gpbf	EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P	200 V	3A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.8a, 10V	4V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 15 V	-	30W (TC)
SI3867DV-T1-GE3	-	RFQ	6583	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3867	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	3.9a (TA)	2.5V, 4.5V	51mohm @ 5.1a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.1W (TA)
SQJ204EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	1991	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	SQJ204	Mosfet (Óxido de metal)	27W (TC), 48W (TC)	Powerpak® SO-8 dual asimétrico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Asimétrico del canal (dual)		12V	20A (TC), 60A (TC)		8.3mohm @ 4a, 10v, 3mohm @ 10a, 10v	1.5V @ 250 µA	20nc @ 10V, 50nc @ 10V		1400pf @ 6V, 3700pf @ 6V	-
SI4390DY-T1-E3	-	RFQ	2263	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4390	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	8.5A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 12.5a, 10V	2.8V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1.4W (TA)
SIB406EDK-T1-GE3	0.5700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-75-6	SIB406	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-75-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	6a (TC)	2.5V, 4.5V	46mohm @ 3.9a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 12V	350 pf @ 10 V	-	1.95W (TA), 10W (TC)
Irfbf20strl	-	RFQ	1014	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfbf20	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	900 V	1.7a (TC)	10V	8ohm @ 1a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 54W (TC)
IRLIZ44GPBF	2.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irliz44	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*IRLIZ44GPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	30A (TC)	4V, 5V	28mohm @ 18a, 5V	2V @ 250 µA	66 NC @ 5 V	± 10V	3300 pf @ 25 V	-	48W (TC)
Si4116dy-t1-e3	1.2500	RFQ	3658	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4116	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	25 V	18a (TC)	2.5V, 10V	8.6mohm @ 10a, 10v	1.4V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	± 12V	1925 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 5W (TC)
SiHJ6N65E-T1-GE3	2.1300	RFQ	3992	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sihj6	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	650 V	5.6a (TC)	10V	868mohm @ 3a, 10v	4V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 30V	596 pf @ 100 V	-	74W (TC)
Si433336dy-t1-e3	-	RFQ	8821	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4336	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	17a (TA)	4.5V, 10V	3.25mohm @ 25A, 10V	3V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	5600 pf @ 15 V	-	1.6w (TA)
SI1424EDH-T1-GE3	0.4300	RFQ	5506	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1424	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	4A (TC)	4.5V	33mohm @ 5a, 4.5V	1V @ 250 µA	18 NC @ 8 V	± 8V		-	1.56W (TA), 2.8W (TC)
Siha17n80e-e3	4.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Siha17	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	800 V	15A (TC)	10V	290mohm @ 8.5a, 10V	4V @ 250 µA	122 NC @ 10 V	± 30V	2408 pf @ 100 V	-	35W (TC)
SQP100N04-3M6_GE3	-	RFQ	7171	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Sqp100	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	40 V	100A (TC)	10V	3.6mohm @ 30a, 10V	3.5V @ 250 µA	135 NC @ 10 V	± 20V	7200 pf @ 25 V	-	120W (TC)
SI2306BDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	4754	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar		1 (ilimitado)		742-Si2306bds-t1-be3tr	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	30 V	3.16a (TA)	4.5V, 10V	47mohm @ 3.5a, 10V	3V @ 250 µA	4.5 NC @ 5 V	± 20V	305 pf @ 15 V	-	750MW (TA)
SIA436DJ-T1-GE3	0.6300	RFQ	1430	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA436	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	8 V	12a (TC)	1.2V, 4.5V	9.4mohm @ 15.7a, 4.5V	800mv @ 250 µA	25.2 NC @ 5 V	± 5V	1508 pf @ 4 V	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SQJ457EP-T1_GE3	0.9800	RFQ	6709	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj457	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	36A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	68W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²