SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
IRFR214TRR Vishay Siliconix IRFR214TRR -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR214 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 2.2a (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10v 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFD420PBF Vishay Siliconix Irfd420pbf 1.8600
RFQ
ECAD 8782 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd420 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd420pbf EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 370MA (TA) 10V 3ohm @ 220 mm, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 1W (TA)
SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8424CDB-T1-E1 0.6200
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP Si8424 Mosfet (Óxido de metal) 4-microfoot descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 8 V 6.3a (TA) 1.2V, 4.5V 20mohm @ 2a, 4.5V 800mv @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 5V 2340 pf @ 4 V - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7174DP-T1-GE3 3.1700
RFQ
ECAD 710 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7174 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 60A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 40 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRF9620STRR Vishay Siliconix IRF9620STRR -
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF9620 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 200 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3W (TA), 40W (TC)
SIR330DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir330DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8799 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir330 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 15 V - 5W (TA), 27.7W (TC)
IRFR24N10D Vishay Siliconix IRFR24N10D -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR24 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak - Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irfr24n10d EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V - - - - -
IRFR9010PBF Vishay Siliconix IRFR9010PBF 1.0600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9010 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 50 V 5.3a (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250 µA 9.1 NC @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRFD220PBF Vishay Siliconix Irfd220pbf 1.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd220 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 800 mA (TA) 10V 800mohm @ 480mA, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRFPC50LC Vishay Siliconix IRFPC50LC -
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFPC50 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFPC50LC EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 600mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 190W (TC)
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7635DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7635 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 40A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 26a, 10v 2.2V @ 250 µA 143 NC @ 10 V ± 16V 4595 pf @ 10 V - 5W (TA), 54W (TC)
SIHF9Z24STRR-GE3 Vishay Siliconix SiHF9Z24Strr-GE3 1.0800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) 742-SiHF9Z24STRR-GE3CT EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 11a (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
IRFR430ATRLPBF Vishay Siliconix IRFR430ATRLPBF 0.8718
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR430 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 110W (TC)
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4804CDY-T1-GE3 0.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4804 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 22mohm @ 7.5a, 10v 2.4V @ 250 µA 23nc @ 10V 865pf @ 15V -
SI4451DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7346 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4451 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 12 V 10a (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5V 800mv @ 850 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.5W (TA)
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9759 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6924 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 28 V 4.1a 33mohm @ 4.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 10NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7414DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7414 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 5.6a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 8.7a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V - 1.5W (TA)
SQC40016E_DFFR Vishay Siliconix Sqc40016e_dffr 2.1000
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo - - - SQC40016 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQC40016E_DFFR EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1469DH-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1469 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.7a (TC) 2.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10v 1.5V @ 250 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 12V 470 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix SUD17N25-165-E3 -
RFQ
ECAD 1751 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sud17 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 17a (TC) 10V 165mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 25 V - 3W (TA), 136W (TC)
IRLZ14PBF Vishay Siliconix IRLZ14PBF 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRLZ14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRLZ14PBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 10a (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250 µA 8.4 NC @ 5 V ± 10V 400 pf @ 25 V - 43W (TC)
IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix Irfbc40astrr -
RFQ
ECAD 7947 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1036 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF744L Vishay Siliconix Irf744l -
RFQ
ECAD 9534 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo - A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF744 Mosfet (Óxido de metal) I2pak - Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irf744l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 8.8a (TC) 10V 630mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - -
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ906E-T1_GE3 2.6800
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 8 x 8 dual SQJQ906 Mosfet (Óxido de metal) 50W Powerpak® 8 x 8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 95A (TC) 3.3mohm @ 5a, 10v 3.5V @ 250 µA 42NC @ 10V 3600pf @ 20V -
SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir104DP-T1-RE3 2.4900
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir104 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 18.3a (TA), 79A (TC) 7.5V, 10V 6.4mohm @ 15a, 10v 3.5V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 4230 pf @ 50 V - 5.4W (TA), 100W (TC)
SIJ462ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ462AdP-T1-GE3 1.4600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 SiJ462 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiJ462AdP-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 15.8a (TA), 39.3a (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1235 pf @ 30 V - 3.6W (TA), 22.3W (TC)
SQJ402EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
ECAD 1993 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-sqj402ep-t1_be3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 32A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10.7a, 10v 2.5V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2286 pf @ 25 V - 83W (TC)
SQJ162EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ162EP-T1_GE3 1.3200
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3.000 N-canal 60 V 166a (TC) 10V 5mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 3930 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRF830BPBF Vishay Siliconix IRF830BPBF 1.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF830 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5.3a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 325 pf @ 100 V - 104W (TC)
SIHP22N60E-E3 Vishay Siliconix SIHP22N60E-E3 2.1315
RFQ
ECAD 5738 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHP22N60EE3 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 227W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock