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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3476DV-T1-BE3 | 0.4700 |  | 2625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3476DV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 3.5a (TA), 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 93mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 20V | 195 pf @ 40 V | - | 2W (TA), 3.6W (TC) | |||||||||
 | SI7328DN-T1-E3 | 0.9923 | | 8663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7328 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 18.9a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 31.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2610 pf @ 15 V | - | 3.78W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | 2n5116jan02 | - | | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
 | Sisha06dn-t1-ge3 | 1.0200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 28.1A (TA), 104A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3932 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||||||
| 2N4339-E3 | - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4339 | 300 MW | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 7pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 15 V | 600 MV @ 100 na | |||||||||||||
 | SI1499DH-T1-BE3 | 0.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1499 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1499DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.6a (TA), 1.6a (TC) | 78mohm @ 2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 5V | 650 pf @ 4 V | - | 2.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||||||
 | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | | 9785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF23 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 30V | 2418 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||
| SQJ138EP-T1_GE3 | 1.6400 | | 1233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ138 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ138EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 330A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 4715 pf @ 25 V | - | 312W (TC) | |||||||
 | IRF9620L | - | | 6745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf9620l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | - | |||||||
 | IRFP22N60C3PBF | - | | 9026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP22N60C3PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 22a (TA) | - | - | - | - | ||||||||||
 | SiHB24N80AE-GE3 | 3.5600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB24N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 21a (TC) | 184mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 1836 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||||||
 | SQS141ELNW-T1_GE3 | 1.0300 | | 4391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 101a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7458 pf @ 25 V | - | 192W (TC) | |||||||||
 | SISS40DN-T1-GE3 | 0.5292 | | 3401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS40 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 36.5a (TC) | 6V, 10V | 21mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 845 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | Sir418dp-t1-ge3 | 1.3500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir418 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 20 V | - | 39W (TC) | ||||||||
 | Si9435bdy-t1-e3 | 0.8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 4.1a (TA) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||||||
 | IRF740ATRRPBF | 1.8357 | | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||
 | SiHD7N60E-E3 | 0.9185 | | 7786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||||
| SISS5112DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 5441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS5112 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11a (TA), 40.7a (TC) | 7.5V, 10V | 14.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SI3460BDV-T1-BE3 | 0.9100 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3460BDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6.7a (TA), 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.5W (TC) | |||||||||
 | Sum90142e-ge3 | 3.2700 | | 8011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90142 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 3120 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | 2N4119A-E3 | - | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4119 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 Na | |||||||||||||
| IRF634Strpbf | 2.1700 | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||
| SQ2351CES-T1_GE3 | - | | 3292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Cumplante | 742-SQ2351CES-T1_GE3TR | 1 | Canal P | 20 V | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||||||||
| Si4154dy-t1-ge3 | 1.4900 | | 9625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4154 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 20 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||||||
| Sirc06dp-t1-ge3 | 0.3733 | | 8732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sirc06 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 32A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2455 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 5W (TA), 50W (TC) | ||||||||
| 2N5114JAN02 | - | | 1721 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5114 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
| SiHG25N50E-GE3 | 3.8600 | | 4359 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg25 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
| IRFBC30AlPBF | 0.8678 | | 7403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFBC30AlPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||
| 2N4858JTVP02 | - | | 2625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | - | - | 2N4858 | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Si4910dy-t1-e3 | - | | 3885 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4910 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.6a | 27mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 855pf @ 20V | - |
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