- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHG14N50D-E3 | 2.0567 |  | 2998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG14 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG14N50DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 7a, 10v | 5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 1144 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||
 | SI4190ADY-T1-GE3 | 1.8600 | | 9392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4190 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 18.4a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 15a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1970 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| Si4952dy-t1-e3 | - | | 1814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4952 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFBC20PBF-BE3 | 1.4000 | | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFBC20PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SI1072X-T1-GE3 | - | | 3187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1072 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.3a (TA) | 4.5V, 10V | 93mohm @ 1.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRF630SPBF | 1.6900 | | 700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | Sq3426ev-t1-ge3 | - | | 9832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | 700 pf @ 30 V | - | ||||||||
| SI3454CDV-T1-E3 | - | | 5283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3454 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.2a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 10.6 NC @ 10 V | ± 20V | 305 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 1.5W (TC) | ||||
 | SQM50P08-25L_GE3 | 2.6100 | | 3735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 80 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 12.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 137 NC @ 10 V | ± 20V | 5350 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SI1913DH-T1-E3 | - | | 7084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1913 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 880 Ma | 490mohm @ 880 mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1.8nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SUP75N03-04-E3 | - | | 4619 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 10742 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 187W (TC) | |||||
| SI4401DDY-T1-GE3 | 0.8700 | | 4288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 16.1a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3007 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | |||||
 | IRLR014 | - | | 6444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRLR014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRF820As | - | | 2277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF820As | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SIB437EDKT-T1-GE3 | - | | 3477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® TSC-75-6 | SIB437 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® TSC75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 34mohm @ 3a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||||
 | SIS932EDN-T1-GE3 | 0.6500 | | 5796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS932 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA), 23W (TC) | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6a (TC) | 22mohm @ 10a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 14NC @ 4.5V | 1000pf @ 15V | - | |||||||
| Si4876dy-t1-e3 | - | | 8690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4876 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5mohm @ 21a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 80 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.6w (TA) | |||||
 | SQJ914EP-T1_GE3 | 1.3000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj914 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 30A (TC) | 12mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 1110pf @ 15V | - | |||||||
 | SI3457CDV-T1-BE3 | 0.5400 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3457CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.1a (TA), 5.1a (TC) | 4.5V, 10V | 74mohm @ 4.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3W (TC) | ||||||
 | SI7909DN-T1-GE3 | - | | 2105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7909 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4.5V | 1V @ 700 µA | 24nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRL540S | - | | 8463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
| IRFR9310TRLPBF | 1.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | IRF9Z34PBF-BE3 | 1.8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9Z34PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | SUD50N02-09P-GE3 | - | | 4880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 10 V | - | 39.5W (TC) | |||||
 | 2N6660JTXP02 | - | | 7376 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SIRA18AdP-T1-GE3 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30.6a (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 14.7W (TC) | ||||||
 | SQJ186EP-T1_GE3 | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1942 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | |||||||
| SI1926DL-T1-BE3 | 0.4100 | | 3457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1926 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW (TA), 510MW (TC) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1926dl-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 340MA (TA), 370MA (TC) | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 10V | 18.5pf @ 30V | - | ||||||
 | SIHF15N60E-E3 | 3.0900 | | 6785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHF15N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||
| SI3443BDV-T1-GE3 | 0.2588 | | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)