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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7848DP-T1-E3 | - |  | 5191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7848 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 10.4a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.83W (TA) | |||||
 | IRF520Strr | - | | 4252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | Sish129dn-t1-ge3 | 0.9300 | | 5287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish129 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 14.4a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 14.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3345 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52.1W (TC) | |||||
 | SI5433BDC-T1-GE3 | - | | 1923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5433 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 37mohm @ 4.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | SIS476DN-T1-GE3 | 1.1800 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF9630SPBF | 2.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
| Sisc06dn-t1-ge3 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisc06 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 27.6a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2455 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 46.3W (TC) | |||||
| SISS94DN-T1-GE3 | 0.9100 | | 7062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS94 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 5.4a (TA), 19.5a (TC) | 7.5V, 10V | 75mohm @ 5.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 100 V | - | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
 | SI5517DU-T1-GE3 | 1.1800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5517 | Mosfet (Óxido de metal) | 8.3w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6A | 39mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16NC @ 8V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | 2N6660JTXV02 | - | | 1075 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 37.1a (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 9.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SIHP054N65E-GE3 | 8.1800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 58mohm @ 20a, 10v | 5V @ 250 µA | 108 NC @ 20 V | ± 30V | 3769 pf @ 100 V | - | 312W (TC) | ||||||
 | SI6925AdQ-T1-GE3 | - | | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6925 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sir574DP-T1-RE3 | 1.6500 | | 7670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIR574DP-T1-RE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 12.1a (TA), 48.1a (TC) | 7.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 75 V | - | 5W (TA), 78W (TC) | ||||||
 | SiHG47N60AEF-GE3 | 8.7500 | | 2163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 189 NC @ 10 V | ± 30V | 3576 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||
 | SQ3457EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.8a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 705 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | ||||||
 | SQ4483BEEY-T1_GE3 | 1.7500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | - | 7W (TC) | |||||||
 | SiHFR9310-GE3 | 0.3091 | | 3932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR9310-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SIS9634LDN-T1-GE3 | 1.2600 | | 8140 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS9634 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TA), 17.9W (TC) | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6a (TA), 6a (TC) | 31mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 10V | 420pf @ 30V | - | ||||||
 | SI1304BDL-T1-E3 | - | | 3486 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1304 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 270mohm @ 900 mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 100 pf @ 15 V | - | 340MW (TA), 370MW (TC) | ||||
 | SI1033X-T1-E3 | - | | 6318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 145mA | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sqs423en-t1_be3 | 0.9400 | | 9771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SQS423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1975 pf @ 15 V | - | 62.5W (TC) | |||||||
 | IRFR220PBF | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SUP65P04-15-E3 | - | | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SUP65P0415E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 40 V | 65a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | |||
| Sir846Adp-T1-GE3 | 2.2600 | | 6980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| Sir494dp-t1-ge3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir494 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 6 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SiHK105N60E-T1-GE3 | 5.6900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHK105N60E-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2301 pf @ 100 V | - | 142W (TC) | |||||
 | SI1403CDL-T1-GE3 | - | | 4141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1403 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 281 pf @ 10 V | - | 600MW (TA), 900MW (TC) | ||||
| Sir4606dp-t1-ge3 | 1.2600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 10.5a (TA), 16a (TC) | 7.5V, 10V | 18.5mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 30 V | - | 3.7W (TA), 31.2W (TC) | ||||||
 | SiHFZ48S-GE3 | 1.0810 | | 4427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sihfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) |
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