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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SI3483DDV-T1-GE3	0.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3483	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	6.4a (TA), 8a (TC)	4.5V, 10V	31.2mohm @ 5a, 10v	2.2V @ 250 µA	14.5 NC @ 10 V	+16V, -20V	580 pf @ 15 V	-	2W (TA), 3W (TC)
SIB408DK-T1-GE3	-	RFQ	7320	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-75-6	SIB408	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-75-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	7a (TC)	4.5V, 10V	40mohm @ 6a, 10v	2.5V @ 250 µA	9.5 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 15 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SI1032X-T1-GE3	0.4500	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	SI1032	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	20 V	200MA (TA)	1.5V, 4.5V	5ohm @ 200ma, 4.5V	1.2V @ 250 µA	0.75 NC @ 4.5 V	± 6V		-	300MW (TA)
SQW61N65EF-GE3	12.3100	RFQ	380	Vishay Siliconix	Automotriz, AEC-Q101, E	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	SQW61	Mosfet (Óxido de metal)		Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)		742-SQW61N65EF-GE3	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal	650 V	62a (TC)		52mohm @ 32a, 10v	4V @ 250 µA	344 NC @ 10 V	± 30V	7379 pf @ 100 V	-	625W (TC)
2N4391-2	-	RFQ	8494	Vishay Siliconix	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4391		1.8 W	TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal								14pf @ 20V			40 V	50 Ma @ 20 V	4 v @ 1 na	30 ohmios
IRFR9024PBF-BE3	0.8874	RFQ	5679	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9024	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar				742-IRFR9024PBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	8.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIS410DN-T1-GE3	1.0700	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS410	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	35A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SiHA125N60EF-GE3	6.3400	RFQ	999	Vishay Siliconix	EF	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Siha125	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar		1 (ilimitado)		742-Siha125n60ef-ge3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	11a (TC)	10V	125mohm @ 12a, 10v	5V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 30V	1533 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SQJA86EP-T1_GE3	1.0600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqja86	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	30A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	48W (TC)
SIDR510EP-T1-RE3	3.0500	RFQ	7529	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	100 V	33a (TA), 148a (TC)	7.5V, 10V	3.6mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	4980 pf @ 50 V	-	7.5W (TA), 150W (TC)
SQJ457EP-T2_GE3	0.9900	RFQ	9575	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	36A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	68W (TC)
SQ3493EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	1143	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Sq3493	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQ3493EV-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	8a (TC)	2.5V, 4.5V	21mohm @ 5a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	34 NC @ 4.5 V	± 12V	3300 pf @ 10 V	-	5W (TC)
SI6963BDQ-T1-E3	-	RFQ	8660	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6963	Mosfet (Óxido de metal)	830MW	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	3.4a		45mohm @ 3.9a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	11NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Si5411edu-t1-ge3	-	RFQ	2253	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® chipfet ™ single	SI5411	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® chipfet single	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	25A (TC)	1.8V, 4.5V	8.2mohm @ 6a, 4.5V	900MV @ 250 µA	105 NC @ 8 V	± 8V	4100 pf @ 6 V	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SiHP22N60AE-BE3	3.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	20A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	96 NC @ 10 V	± 30V	1451 pf @ 100 V	-	179W (TC)
IRF740PBF-BE3	2.0400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF740	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF740PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	10a (TC)	10V	550mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Si4866bdy-t1-ge3	-	RFQ	7295	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4866	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	12 V	21.5a (TC)	1.8V, 4.5V	5.3mohm @ 12a, 4.5V	1V @ 250 µA	80 NC @ 4.5 V	± 8V	5020 pf @ 6 V	-	2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI9433BDY-T1-GE3	0.8900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si9433	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	20 V	4.5a (TA)	2.7V, 4.5V	40mohm @ 6.2a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.3W (TA)
Si444447dy-t1-e3	0.8300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4447	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	40 V	3.3a (TA)	15V, 10V	72mohm @ 4.5a, 15V	2.2V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 16V	805 pf @ 20 V	-	1.1W (TA)
SIRA36DP-T1-GE3	1.4900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sira36	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	40A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	+20V, -16V	2815 pf @ 15 V	-	-
SI6423DQ-T1-BE3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-TSOP	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	8.2a (TA)	1.8V, 4.5V	8.5mohm @ 9.5a, 4.5V	800mv @ 400 µA	110 NC @ 5 V	± 8V		-	1.05W (TA)
IRL3402L	-	RFQ	5154	Vishay Siliconix	-	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRL3402	Mosfet (Óxido de metal)		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3402L	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	20 V	85A (TC)	4.5V, 7V	8mohm @ 51a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	78 NC @ 4.5 V	± 10V	3300 pf @ 15 V	-	110W (TC)
SQJQ402E-T1_GE3	2.8400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8	SQJQ402	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	40 V	200a (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	13500 pf @ 20 V	-	150W (TC)
SiJH440E-T1-GE3	1.2191	RFQ	6305	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8	SiJH440	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	40 V	200a (TC)	4.5V, 10V	0.96mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 250 µA	195 NC @ 4.5 V	+20V, -16V	20330 pf @ 20 V	-	158W (TC)
Sq4153ey-t1_be3	1.6500	RFQ	485	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SQ4153	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	12 V	25A (TC)	1.8V, 4.5V	8.32mohm @ 14a, 4.5V	900MV @ 250 µA	151 NC @ 4.5 V	± 8V	11000 pf @ 6 V	-	7.1W (TC)
SI8816EDB-T2-E1	0.5300	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-xfbga	Si8816	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	30 V	1.5a (TA)	2.5V, 10V	109mohm @ 1a, 10v	1.4V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 12V	195 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
SQJ488EP-T2_GE3	1.3300	RFQ	6170	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-SQJ488EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	42a (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 7.1a, 10V	2.5V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	978 pf @ 50 V	-	83W (TC)
SUD50P08-25L-E3	2.6900	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	80 V	50A (TC)	4.5V, 10V	25.2mohm @ 12.5a, 10V	3V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	4700 pf @ 40 V	-	8.3W (TA), 136W (TC)
VP0808B	-	RFQ	6750	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	VP0808	Mosfet (Óxido de metal)		To-39	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100		Canal P	80 V	880MA (TA)	10V	5ohm @ 1a, 10v	4.5V @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W (TA)
SUD50P04-09L-E3	2.6600	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	40 V	50A (TC)	4.5V, 10V	9.4mohm @ 24a, 10v	3V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	4800 pf @ 25 V	-	3W (TA), 136W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²