SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 70 V 12.9a (TA), 42.3a (TC) 3.3V, 4.5V 10.9mohm @ 10a, 4.5V 1.6V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 12V 1660 pf @ 35 V - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRFIBC40GLC Vishay Siliconix IRFIBC40GLC -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IRFIBC40 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFIBC40GLC EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 25 V - 40W (TC)
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix Siud406ed-t1-ge3 0.4500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 0806 Siud406 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 0806 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 500 mA (TA) 1.8V, 4.5V 1.46ohm @ 200 MMA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 8V 17 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
SI5433BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5433 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.8a (TA) 1.8V, 4.5V 37mohm @ 4.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 22 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.3W (TA)
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4559ady-t1-ge3 1.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4559 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W, 3.4W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 5.3a, 3.9a 58mohm @ 4.3a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SQD19P06-60L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD19P06-60L_T4GE3 1.6500
RFQ
ECAD 204 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SQD19 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 19a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1490 pf @ 25 V - 46W (TC)
SI4646DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4646dy-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4646 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 1790 pf @ 15 V - 3W (TA), 6.25W (TC)
SIHB22N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60EF-GE3 3.5600
RFQ
ECAD 4462 0.00000000 Vishay Siliconix EF Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB22 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2266-SiHB22N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 19a (TC) 10V 182mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 30V 1423 pf @ 100 V - 179W (TC)
SIHG14N50D-E3 Vishay Siliconix SiHG14N50D-E3 2.0567
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SiHG14 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHG14N50DE3 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 1144 pf @ 100 V - 208W (TC)
SIHFR9310TRL-GE3 Vishay Siliconix SiHFR9310TRL-GE3 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 400 V 1.8a (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10v 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRFR220TRPBF Vishay Siliconix IRFR220TRPBF 0.9300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR220 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 4.8a (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4952DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4952dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 1814 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4952 Mosfet (Óxido de metal) 2.8w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 25V 8A 23mohm @ 7a, 10v 2.2V @ 250 µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
IRFI640G Vishay Siliconix Irfi640g -
RFQ
ECAD 4978 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi640 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfi640g EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 9.8a (TC) 10V 180mohm @ 5.9a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 40W (TC)
SQD30N05-20L_GE3 Vishay Siliconix SQD30N05-20L_GE3 1.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd30 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1175 pf @ 25 V - 50W (TC)
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4190ADY-T1-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 9392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4190 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 18.4a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10v 2.8V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 50 V - 3W (TA), 6W (TC)
SIHG17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG17N80AEF-GE3 3.2100
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 Vishay Siliconix EF Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 742-SiHG17N80AEF-GE3 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 800 V 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 100 V - 179W (TC)
IRFBC20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBC20PBF-BE3 1.4000
RFQ
ECAD 977 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFBC20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-IRFBC20PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 2.2a (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10v 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRF630SPBF Vishay Siliconix IRF630SPBF 1.6900
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF630 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 3W (TA), 74W (TC)
SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1072X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3187 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Si1072 Mosfet (Óxido de metal) SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.3a (TA) 4.5V, 10V 93mohm @ 1.3a, 10V 3V @ 250 µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 15 V - 236MW (TA)
SQ2318BES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2318BES-T1_GE3 0.5500
RFQ
ECAD 5484 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2318 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 8a (TC) 4.5V, 10V 26.3mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.4 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 3W (TC)
SI4172DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4172DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4172 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 4.5W (TC)
SI5486DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5486DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9141 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet ™ single Si5486 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® chipfet ™ single descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 12a (TC) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 7.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 54 NC @ 8 V ± 8V 2100 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI6926ADQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-BE3 1.2500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6926 Mosfet (Óxido de metal) 830MW (TA) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) 742-Si6926adq-t1-be3tr EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 4.1a (TA) 30mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 10.5nc @ 4.5V - -
IRFP360PBF Vishay Siliconix Irfp360pbf 5.0700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP360 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfp360pbf EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 400 V 23a (TC) 10V 200mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 280W (TC)
IRF730ALPBF Vishay Siliconix IRF730AlPBF -
RFQ
ECAD 7830 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF730 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 5.5a (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10v 4.5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 74W (TC)
SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix SUP60061EL-GE3 3.8300
RFQ
ECAD 4336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SUP60061EL-GE3 EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 80 V 150A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 218 NC @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 40 V - 375W (TC)
SI7980DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2807 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Si7980 Mosfet (Óxido de metal) 19.8W, 21.9W Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canales N (Medio Puente) 20V 8A 22mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 27nc @ 10V 1010pf @ 10V -
SQD40061EL-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD40061EL-T4_GE3 2.3400
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) 742-SQD40061EL-T4_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 280 NC @ 10 V ± 20V 14500 pf @ 25 V - 107W (TC)
SIJA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sija54dp-t1-ge3 1.1100
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sija54 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 2.35mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 250 µA 104 NC @ 10 V +20V, -16V 5300 pf @ 20 V - 36.7W (TC)
SQJA70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA70EP-T1_GE3 0.8300
RFQ
ECAD 2002 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqja70 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 14.7a (TC) 10V 95mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 27W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock