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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI6966DQ-T1-E3 | - | ![]() | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | Irfu9210pbf | 1.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9210 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9210pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | Irc530pbf | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc530pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | Detección real | 88W (TC) | |||
![]() | IRFR014TRR | - | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI7842DP-T1-GE3 | - | ![]() | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7842 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | SIHF12N60E-GE3 | 2.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
![]() | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7212 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | IRF9Z24StrlPBF | 1.3028 | ![]() | 9028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
![]() | SiHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg24 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SiHFS11N50A-GE3 | 1.0490 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||
![]() | IRLI630G | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irli630g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 6.2a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 3.7a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
![]() | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 6715 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | SI2324DS-T1-GE3 | 0.6400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2324 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2.3a (TC) | 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.9V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
![]() | Sqj422ep-t1_be3 | 1.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj422ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 3.4mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | ||||||
SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | ![]() | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb60 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | SiHG32N50D-E3 | 3.2990 | ![]() | 1527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 30A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 2550 pf @ 100 V | - | 390W (TC) | |||||
![]() | SI3867DV-T1-E3 | - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3867 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 51mohm @ 5.1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SI5445BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5445 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | SQ2319ES-T1-GE3 | - | ![]() | 3302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | 620 pf @ 25 V | - | ||||||||
![]() | IRFI530GPBF | 1.9200 | ![]() | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi530gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 160mohm @ 5.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
![]() | Sir846Adp-T1-RE3 | 0.8618 | ![]() | 8819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||
![]() | SiHA12N50E-E3 | 1.8900 | ![]() | 8336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||
![]() | Irfz48strlpbf | 2.2000 | ![]() | 667 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ48STRLPBFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||||
![]() | SI7402DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 13a (TA) | 1.8V, 4.5V | 5.7mohm @ 20a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | IRF9540Strl | - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
![]() | Si4544dy-t1-e3 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4544 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V | - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 35nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | Si4933dy-t1-ge3 | - | ![]() | 1767 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a, 4.5V | 1V @ 500 µA | 70NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | SISS06DN-T1-GE3 | 1.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS06 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 47.6a (TA), 172.6a (TC) | 4.5V, 10V | 1.38mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3660 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
![]() | SQD50N04-4M5L_GE3 | 2.4400 | ![]() | 8132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5860 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
![]() | Irfu110 | - | ![]() | 7158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 25W (TC) |
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