SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID
SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix SIHP12N50C-E3 2.4696
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SIHP12 Mosfet (Óxido de metal) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 555mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 1375 pf @ 25 V - 208W (TC)
U430 Vishay Siliconix U430 -
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-78-6 METAL CAN U430 500 MW Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 100 2 Canal N (Dual) 5PF @ 10V 25 V 12 Ma @ 10 V 1 v @ 1 na
IRFR9014PBF Vishay Siliconix IRFR9014PBF 1.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9014 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 60 V 5.1a (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJA80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix Sqja80ep-t1_be3 1.3300
RFQ
ECAD 6360 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-SQJA80EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 68W (TC)
SIHF065N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF065N60E-GE3 6.8400
RFQ
ECAD 270 0.00000000 Vishay Siliconix mi Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SiHF065 Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 40A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 100 V - 39W (TC)
SI2367DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2367 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.8a (TC) 1.8V, 4.5V 66mohm @ 2.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 23 NC @ 8 V ± 8V 561 pf @ 10 V - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3 0.6200
RFQ
ECAD 6427 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2306 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.16a (TA) 4.5V, 10V 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250 µA 4.5 NC @ 5 V ± 20V 305 pf @ 15 V - 750MW (TA)
TP0101K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0101K-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 Vishay Siliconix - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TP0101 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 580MA (TA) 650mohm @ 580 mm, 4.5V 1V @ 50 µA 2.2 NC @ 4.5 V -
SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Siliconix SUM110N06-3M9H-E3 -
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum110 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 110A (TC) 10V 3.9mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 15800 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 375W (TC)
SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4396dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 2864 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4396 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16a (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10v 2.6V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1675 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 5.4W (TC)
SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4286dy-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4286 Mosfet (Óxido de metal) 2.9w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 7A 32.5mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.5nc @ 10V 375pf @ 20V -
SIHF35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF35N60E-GE3 3.0870
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SiHF35 Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10v 4V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 30V 2760 pf @ 100 V - 39W (TC)
IRLD024PBF Vishay Siliconix Irld024pbf 1.9500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irld024 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irld024pbf EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 60 V 2.5a (TA) 4V, 5V 100mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
IRF540STRRPBF Vishay Siliconix IRF540StrpBF 2.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF540 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 28a (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 150W (TC)
SUP40N10-30-E3 Vishay Siliconix SUP40N10-30-E3 -
RFQ
ECAD 7971 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SUP40 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 40A (TC) 6V, 10V 30mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 107W (TC)
IRF830APBF Vishay Siliconix IRF830APBF 1.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF830 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRF830APBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 74W (TC)
SI4164DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4164DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4164 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 3545 pf @ 15 V - 3W (TA), 6W (TC)
SI7629DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7629DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7629 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 35A (TC) 2.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10v 1.5V @ 250 µA 177 NC @ 10 V ± 12V 5790 pf @ 10 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRF840AS Vishay Siliconix Irf840as -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF840 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf840as EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1018 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFS9N60ATRL Vishay Siliconix Irfs9n60atrl -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS9 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.2a (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 170W (TC)
IRFB11N50APBF Vishay Siliconix IRFB11N50APBF 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFB11N50APBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1423 pf @ 25 V - 170W (TC)
SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3 1.1000
RFQ
ECAD 1792 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Sqj968 Mosfet (Óxido de metal) 42W (TC) Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 23.5a (TC) 33.6mohm @ 4.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 18.5nc @ 10V 714pf @ 30V -
IRL620SPBF Vishay Siliconix IRL620SPBF 2.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL620 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRL620SPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 5.2a (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250 µA 16 NC @ 5 V ± 10V 360 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 50W (TC)
SUM110N04-04-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-04-E3 -
RFQ
ECAD 4463 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum110 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 3.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 250W (TC)
SIRA60DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-RE3 0.5977
RFQ
ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 SIRA60 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 0.94mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 125 NC @ 10 V +20V, -16V 7650 pf @ 15 V - 57W (TC)
IRLI520G Vishay Siliconix IRLI520G -
RFQ
ECAD 9045 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IRLI520 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLI520G EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 7.2a (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.3a, 5V 2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 37W (TC)
SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix SQM90142E_GE3 2.9200
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SQM90142 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 95A (TC) 10V 15.3mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 375W (TC)
SQJ912AEP-T2_BE3 Vishay Siliconix SQJ912AEP-T2_BE3 -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual SQJ912 Mosfet (Óxido de metal) 48W (TC) Powerpak® SO-8 Dual - EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 30A (TC) 9.3mohm @ 9.7a, 10v 2.5V @ 250 µA 38nc @ 10V 1835pf @ 20V -
IRF737LCPBF Vishay Siliconix IRF737LCPBF -
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF737 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF737LCPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 300 V 6.1a (TC) 10V 750mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 74W (TC)
IRFBC40L Vishay Siliconix IRFBC40L -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFBC40L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 130W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock