SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SUP60N06-12P-GE3 Vishay Siliconix SUP60N06-12P-GE3 -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SUP60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 60A (TC) 10V 12mohm @ 30a, 10v 4.5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 30 V - 3.25W (TA), 100W (TC)
SUP50N10-21P-GE3 Vishay Siliconix SUP50N10-21P-GE3 -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SUP50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 50A (TC) 6V, 10V 21mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2055 pf @ 50 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532CDY-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 6205 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4532 Mosfet (Óxido de metal) 2.78W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 6a, 4.3a 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250 µA 9NC @ 10V 305pf @ 15V -
SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-BE3 2.6900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sud50 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 80 V 12.5A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 25.2mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 40 V - 8.3W (TA), 136W (TC)
SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7108DN-T1-GE3 2.0000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7108 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 14a (TA) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 22a, 10v 2V @ 250 µA 30 NC @ 4.5 V ± 16V - 1.5W (TA)
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5905DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5905 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 8V 3A 90mohm @ 3a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 9NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SQ3426CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3426CEV-T1_GE3 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 7a (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1300 pf @ 30 V - 5W (TC)
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 Mosfet (Óxido de metal) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 2.8a (TC) 10V 170mohm @ 2.4a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 30 V - 2W (TC)
SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3427EEV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3290 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 SQ3427 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 5.5a (TC) 4.5V, 10V 82mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1125 pf @ 30 V - 5W (TC)
SIA453EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA453EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4234 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 SIA453 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 24a (TC) 2.5V, 10V 18.5mohm @ 5a, 10v 1.4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 12V 1900 pf @ 15 V - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4174dy-t1-ge3 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SI4174 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 985 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE800DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-polarpak® (s) Sie800 Mosfet (Óxido de metal) 10-polarpak® (s) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 5.2W (TA), 104W (TC)
SIA438EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA438EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 SIA438 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6a (TC) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.9a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 12V 350 pf @ 10 V - 2.4W (TA), 11.4W (TC)
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz730dt-t1-ge3 0.8300
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerPair ™ Siz730 Mosfet (Óxido de metal) 27W, 48W 6-PowerPair ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canales N (Medio Puente) 30V 16a, 35a 9.3mohm @ 15a, 10v 2.2V @ 250 µA 24nc @ 10V 830pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SUD50N06-07L-E3 Vishay Siliconix Sud50n06-07L-E3 -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sud50 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 96a (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 136W (TC)
SI4348DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4348dy-t1-e3 -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4348 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 11a, 10v 2V @ 250 µA 23 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.31W (TA)
SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir882BDP-T1-RE3 1.6100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir882 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 16.5a (TA), 67.5A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10v 2.3V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3762 pf @ 50 V - 5W (TA), 83.3W (TC)
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix Sq9945bey-t1_ge3 1.1100
RFQ
ECAD 772 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SQ9945 Mosfet (Óxido de metal) 4W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 5.4a 64mohm @ 3.4a, 10V 2.5V @ 250 µA 12NC @ 10V 470pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRL630 Vishay Siliconix IRL630 -
RFQ
ECAD 8024 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL630 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL630 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 10V 1100 pf @ 25 V - 74W (TC)
SIZ254DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz254dt-t1-ge3 1.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Siz254 Mosfet (Óxido de metal) 4.3W (TA), 33W (TC) 8-Powerpair® (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 70V 11.7a (TA), 32.5a (TC) 16.1mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 20NC @ 10V 795pf @ 35V, 765pf @ 35V -
SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3475DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Vishay Siliconix - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3475 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 200 V 950MA (TC) 1.61ohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V 500 pf @ 50 V -
SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3461EV-T1_GE3 0.8000
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Sq3461 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 8a (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 7.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 28 NC @ 4.5 V ± 8V 2000 pf @ 6 V - 5W (TC)
IRLZ44STRL Vishay Siliconix IRLZ44STRL -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRLZ44 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250 µA 66 NC @ 5 V ± 10V 3300 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 150W (TC)
SQA410CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix Sqa410ceJW-t1_GE3 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Dual Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQA410CEJW-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 7.8a (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 8 NC @ 4.5 V ± 8V 525 pf @ 10 V - 13.6W (TC)
SIHF540STRL-GE3 Vishay Siliconix SiHF540Strl-Ge3 1.7622
RFQ
ECAD 6432 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHF540 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHF540Strl-Ge3TR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 28a (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRFBG30PBF-BE3 Vishay Siliconix Irfbg30pbf-be3 2.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFBG30 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) 742-IRFBG30PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 3.1a (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 980 pf @ 25 V - 125W (TC)
SI2302ADS-T1 Vishay Siliconix Si2302Ads-t1 -
RFQ
ECAD 7388 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.1a (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 3.6a, 4.5V 1.2V @ 50 µA 10 NC @ 4.5 V ± 8V 300 pf @ 10 V - 700MW (TA)
SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ240N60E-T1-GE3 2.8700
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 SiHJ240 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 30V 783 pf @ 100 V - 89W (TC)
SIHG44N65EF-GE3 Vishay Siliconix SiHG44N65EF-GE3 9.8500
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sihg44 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 73mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 278 NC @ 10 V ± 30V 5892 pf @ 100 V - 417W (TC)
SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sish407dn-t1-ge3 0.8900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8SH Sish407 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8SH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 15.4a (TA), 25a (TC) 1.8V, 4.5V 9.5mohm @ 15.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 93.8 NC @ 8 V ± 8V 2760 pf @ 10 V - 3.6W (TA), 33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock